STWA65N65DM2AG

STWA65N65DM2AG是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了寄生电容，从而在保持高阻断电压能力的同时，提升了开关性能与效率，为高功率密度应用提供了理想的半导体解决方案。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其650V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在工业级交流输入或高压总线应用中的高可靠性。在25°C壳温条件下，器件可连续通过高达60A的漏极电流（Id），并展现出优异的导通性能，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、30A电流条件下典型值低至50毫欧，有效降低了导通损耗。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为120nC（@10V），结合5500pF的输入电容（Ciss），共同构成了快速的开关特性，有助于减小开关损耗并提升系统工作频率。

在电气接口与参数方面，STWA65N65DM2AG的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±25V的栅源电压，增强了设计的鲁棒性。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，具备良好的抗干扰能力。该器件采用经典的TO-247长引线通孔封装，便于安装散热器，其最大结温高达150°C，在壳温条件下最大功率耗散可达446W，展现了强大的热管理潜力。对于需要稳定供货与技术支持的设计项目，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借高电压、大电流、低损耗以及出色的热性能，STWA65N65DM2AG非常适用于对效率和可靠性要求严苛的功率转换领域。其典型应用场景包括工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电焊机及大功率开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和DC-DC变换级。在这些应用中，它能够有效提升系统整体能效，减少散热需求，并有助于实现更紧凑的电源设计。

• 型号:STWA65N65DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 60A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
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STWA65N65DM2AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh DM2产品系列。该器件设计用于高压、大电流的开关应用，其核心电气参数包括650V的漏源电压（Vdss）和60A的连续漏极电流（Id），为功率级设计提供了坚实的电压与电流余量。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至50毫欧（@30A），显著降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值120nC）和输入电容有利于实现快速开关，从而提升系统效率与工作频率。器件采用TO-247封装，支持高达446W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。