STWA70N65DM6

STWA70N65DM6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡，其650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级应用中的高压应力与开关瞬态。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压、34A漏极电流条件下，其典型值仅为40毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，器件采用了精心优化的栅极电荷（Qg）设计，最大值控制在125nC @ 10V，这有助于降低开关损耗，并减轻栅极驱动电路的负担，从而实现更高频率的开关操作。其高达68A（Tc）的连续漏极电流能力和450W（Tc）的最大功率耗散，确保了在严苛工况下的高可靠性运行。

在电气参数方面，STWA70N65DM6展现了全面的稳健性。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，为驱动设计提供了充足的裕量。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于改善开关波形，减少电磁干扰（EMI）。器件采用标准的TO-247长引线通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应广泛的环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取此产品及相关设计资源。

凭借其高性能指标，这款MOSFET非常适用于对效率和功率密度有高要求的应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中功率因数校正（PFC）和DC-DC变换级、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等能源转换系统的理想选择，能够有效提升整机能效和功率等级。

• 型号:STWA70N65DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 68A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):68A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 34A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:125 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4900 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
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STWA70N65DM6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM6产品系列。该器件额定漏源电压（Vdss）为650V，在25°C壳温下可承受高达68A的连续漏极电流，最大功率耗散为450W，为高功率应用提供了坚实的基础。

其核心卖点在于极低的导通电阻（典型值40mΩ @ 10V, 34A）与优化的栅极电荷（最大值125nC @ 10V）相结合，这显著降低了传导与开关损耗，从而提升系统整体效率。器件采用TO-247通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在工业电源、电机驱动和新能源逆变器等高压、高效率应用中的可靠性与鲁棒性。