T1235H-8G-TR

T1235H-8G-TR是ST意法半导体推出的H系列高性能三端双向可控硅开关元件（TRIAC）。该器件采用先进的半导体工艺和结构设计，其核心架构基于无缓冲器的可控硅技术，实现了在单路配置下对交流电的双向导通控制。这种设计确保了在高达800V的断态电压下，器件仍能维持优异的阻断能力和稳定的关断特性，为高电压应用提供了坚实的基础。

该器件具备出色的电流处理能力，其通态有效电流（It(RMS)）最大值达到12A，能够满足中等功率负载的驱动需求。其栅极触发特性尤为突出，最大栅极触发电压（Vgt）仅为1.3V，最大栅极触发电流（Igt）为35mA，这意味着它能够被微控制器或逻辑电平信号轻松、可靠地触发，简化了驱动电路的设计。同时，其最大保持电流（Ih）同样为35mA，确保了在触发后能够稳定维持导通状态，直至电流自然过零关断，提升了工作的可靠性。

在接口与参数方面，T1235H-8G-TR展现了强大的鲁棒性。其非重复浪涌电流（Itsm）在50Hz和60Hz条件下分别高达120A和126A，能够有效抵御电路中可能出现的瞬时过流冲击，保护系统安全。器件采用表面贴装型的TO-263AB（DPak）封装，这种封装具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产焊接。其工作结温范围宽达-40°C至150°C，使其能够适应严苛的工业环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST授权代理获取正品器件和全面的应用协助。

基于其高电压、大电流、易驱动和强抗浪涌的特性，T1235H-8G-TR非常适合于各类交流负载的相位控制或开关控制应用。典型应用场景包括工业交流电机控制、固态继电器（SSR）、加热器调温系统、照明调光控制器以及通用交流电源开关等。在这些领域中，它能够提供高效、静默且长寿命的功率切换解决方案。

• 型号:T1235H-8G-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
• 描述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
• 电压 - 断态:800 V
• 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:12 A
• 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1.3 V
• 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):120A，126A
• 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:35 mA
• 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:35 mA
• 配置:单路
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
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T1235H-8G-TR是ST意法半导体生产的一款高性能、表面贴装三端双向可控硅。该器件设计用于高电压环境，其核心特性包括高达800V的断态电压和12A的通态有效电流，为交流功率控制提供了坚实的性能基础。

其低栅极触发要求（Vgt最大1.3V，Igt最大35mA）使其易于由低压逻辑电路直接驱动，同时高达120A/126A的浪涌电流承受能力确保了系统的抗冲击可靠性。结合TO-263AB封装和-40°C至150°C的宽工作结温范围，使其成为工业电机控制、加热调节及固态继电器等应用的理想选择。