STWA88N65M5

STWA88N65M5是ST意法半导体基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡，这一核心架构使其在高压、大电流开关应用中能够显著降低导通损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其650V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的电压裕量，确保了在诸如功率因数校正（PFC）、电机驱动和开关电源等高压环境下的可靠运行。在25°C壳温条件下，器件能够持续承受高达84A的漏极电流，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、42A测试条件下典型值仅为29毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，栅极电荷（Qg）典型值低至204nC，结合8825pF的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提高开关频率并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STWA88N65M5采用工业标准的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大结温高达150°C，在配备适当散热器的情况下，器件可耗散高达450W的功率。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±25V，增强了抗干扰能力。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

得益于其高性能参数组合，STWA88N65M5非常适合于要求高效率和高功率密度的应用场景。它是工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及服务器和通信电源中高压半桥或全桥拓扑的理想选择。其快速开关特性也使其适用于LLC谐振转换器等软开关拓扑，有助于实现系统的小型化和能效提升。

• 型号:STWA88N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 84A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):84A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 42A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:204 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8825 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STWA88N65M5是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于先进的MDmesh V产品系列。该器件设计用于高压、大电流的开关应用，其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。

它提供650V的漏源电压额定值和高达84A的连续漏极电流能力。关键特性包括极低的导通电阻（29mΩ @ 10V, 42A）以及优化的低栅极电荷（204nC @ 10V），这共同确保了在运行中具有更低的传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。器件采用TO-247封装，最大结温为150°C，适合要求高可靠性的工业与能源领域。