STX112-AP

STX112-AP是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款NPN达林顿功率晶体管，采用经典的TO-92通孔封装。该器件集成了两个双极结型晶体管（BJT）以达林顿对形式构成，这种架构使其在提供高电流驱动能力的同时，实现了极高的直流电流增益。其内部设计优化了电流传导路径，确保了在高达2A的集电极电流下稳定工作，集电极-发射极击穿电压高达100V，为设计提供了宽裕的电压裕度。

该晶体管的核心优势在于其卓越的电流放大能力，在典型工作条件下（1A， 4V），其最小直流电流增益（hFE）高达1000，这意味着仅需极小的基极驱动电流即可控制较大的负载电流，极大地简化了前级驱动电路的设计。其饱和压降在2A电流、8mA基极电流条件下最大为2.5V，这一特性有助于在开关应用中降低导通损耗，提升整体效率。器件最大功耗为1.2W，结合高达150°C的结温（TJ）额定值，展现了良好的热鲁棒性，适合在要求一定功率处理能力的环境中应用。

在接口与参数方面，STX112-AP提供了标准的TO-92三引脚（发射极、基极、集电极）接口，便于在通用实验板或PCB上进行通孔焊接安装。其集电极截止电流最大为2mA，这一参数对于关断状态下的功耗控制具有重要意义。尽管该器件已处于停产状态，但其成熟可靠的设计使其在库存市场中仍有一席之地，用户可通过ST中国代理等授权渠道获取相关库存或替代品信息，以支持既有产品的维护与生产。

基于其高增益、中功率和高压的特性，这款晶体管非常适合应用于需要高效电流放大的场合。典型的应用场景包括继电器或螺线管驱动、步进电机驱动电路、音频放大器的输出级，以及各类电源管理电路中的线性稳压或开关驱动部分。其高输入阻抗特性也使其能够直接由微控制器（MCU）或逻辑芯片的GPIO口进行驱动，是工业控制、消费电子和汽车电子（如指示灯驱动、小型电机控制）等领域中经典的功率接口解决方案。

• 型号:STX112-AP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92AP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN DARL 100V 2A TO-92AP
• 系列:-
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:100 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:2.5V @ 8mA，2A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:2mA
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1000 @ 1A，4V
• 功率 - 最大值:1.2 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
• 供应商器件封装:TO-92AP
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STX112-AP是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿晶体管，采用TO-92通孔封装。其核心卖点在于极高的电流放大能力，在1A， 4V条件下最小直流电流增益（hFE）达1000，仅需微小基极电流即可控制高达2A的负载电流，极大简化了驱动电路设计。

该器件集电极-发射极击穿电压为100V，饱和压降最大为2.5V @ 2A，确保了在开关应用中的高效能与可靠性。最大功耗1.2W，结温可达150°C，适用于中功率放大、开关驱动及接口缓冲等应用。需要注意的是，该产品目前已停产。