STY112N65M5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STY112N65M5是一款基于先进MDmesh V技术平台的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现极低的单位面积导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）乘积，这一特性对于提升开关电源的效率至关重要。其内部架构通过精细的单元布局和先进的沟槽工艺，有效降低了导通损耗和开关损耗，同时确保了在高电压应力下的坚固性与可靠性。

该MOSFET的核心优势体现在其卓越的电气参数上。它具备650V的漏源击穿电压（V_DSS），为工业级应用提供了充足的电压裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）高达96A，展现出强大的电流处理能力。尤为突出的是，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值极低，在47A电流下仅为22毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极总电荷（Q_G）控制在350nC（@10V），有助于降低驱动损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与动态特性方面，STY112N65M5的栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为5V，具有标准的电平兼容性。其栅源电压（V_GS）最大耐受值为±25V，提供了稳健的驱动保护。器件采用通孔安装形式的MAX247封装，该封装具有优异的散热性能，结合高达625W（Tc）的最大功率耗散能力和150°C的最高结温（T_J），使其能够应对严苛的热环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电压、大电流、低损耗和强固封装的综合特性，STY112N65M5非常适用于对效率和功率密度要求极高的应用场景。它是服务器和电信电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电焊机等高性能开关电源系统中功率开关级的理想选择，能够有效提升整机能效和功率密度。

• 型号:STY112N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 96A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):96A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 47A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:350 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:16870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
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STY112N65M5是ST意法半导体MDmesh V系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高压、大电流应用，其核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）和高达96A的连续漏极电流（Id），为功率转换系统提供了坚实的性能基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值仅为22毫欧（@47A），这能显著降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）典型值得到优化，有助于降低开关损耗并提升整体效率。器件采用散热性能优异的MAX247通孔封装，最大功率耗散达625W，工作结温高达150°C，确保了在高功率应用中的可靠性与稳定性。