STY60NK30Z

STY60NK30Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-247封装（MAX247），专为高功率密度和高效率应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在维持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），这是SuperMESH技术的标志性优势。

该器件具备出色的电气性能，其额定漏源电压（V_DSS）高达300V，在壳温（T_C）为25°C时，连续漏极电流（I_D）可达60A，最大功率耗散为450W。一个关键的性能指标是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、30A漏极电流条件下，R_DS(on)最大值仅为45毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，确保了良好的噪声免疫性和驱动的简易性。

在动态特性方面，STY60NK30Z在10V V_GS下的栅极总电荷（Q_g）最大值为220nC，结合7200pF的输入电容（C_iss），需要在驱动电路设计时予以考虑，以优化开关速度和减少开关损耗。其栅源电压（V_GS）可承受±30V的最大值，提供了较高的驱动安全裕度。该器件的工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，适用于严苛的环境条件。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取此型号及相关技术支持。

凭借其高电压、大电流和低导通电阻的特性，STY60NK30Z非常适合于要求苛刻的功率转换应用。典型应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、大功率电机驱动与变频器中的逆变桥臂、以及不同断电源（UPS）和焊接设备中的功率开关。其通孔安装的TO-247封装提供了优异的散热能力，便于通过散热器管理高热耗散，是构建高效、紧凑型功率系统的可靠选择。

• 型号:STY60NK30Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 60A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:220 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
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STY60NK30Z是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其专有的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247（MAX247）封装，核心优势在于其300V的漏源电压（V_DSS）和高达60A的连续漏极电流（I_D）承载能力，同时实现了极低的导通电阻（R_DS(on)典型值45mΩ @ 10V, 30A），这使其在导通期间的功率损耗显著降低。

其设计兼顾了强健性与易驱动性，栅极驱动电压范围宽，阈值电压适中。尽管该器件已不适用于全新设计，但其成熟的工艺和经过验证的可靠性，使其在需要高功率密度和高效热管理的现有系统中，依然是一个值得考虑的高性能功率开关解决方案。