STY60NM50

作为ST意法半导体MDmesh产品系列中的一员，STY60NM50是一款采用先进超结技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计和独特的垂直导电结构，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。该器件采用MAX247通孔封装，确保了在高压、大电流工作条件下的卓越散热能力和机械可靠性，为系统设计提供了坚实的物理基础。

在功能特性上，该器件最突出的表现是其500V的漏源击穿电压（Vdss）与高达60A的连续漏极电流（Id）承载能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、30A电流条件下典型值仅为50毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在266nC，结合优化的内部电容特性，有助于实现快速开关并降低驱动电路的功率需求，这对于高频开关应用至关重要。

从电气参数来看，STY60NM50具备宽泛的安全工作区。其栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了较强的抗干扰能力。最大结温（Tj）高达150°C，配合560W（Tc）的功率耗散能力，使其能够在严苛的热环境中稳定运行。这些参数共同定义了一个坚固且高性能的功率开关解决方案，用户可以通过专业的ST芯片代理获取完整的技术支持和供应链服务。

基于其高耐压、大电流和低损耗的特性，STY60NM50非常适合于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC和主开关拓扑、不同断电源（UPS）系统、电机驱动与变频器，以及电焊机等高性能设备。在这些场景中，它能够有效提升功率密度，降低系统温升，是实现紧凑、高效能电力电子设计的理想选择。

• 型号:STY60NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 60A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:560W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
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STY60NM50是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh系列。该器件核心优势在于其500V的漏源电压（Vdss）和60A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点包括极低的导通电阻（50毫欧 @ 10V, 30A）和优化的开关特性（栅极电荷Qg最大266nC），这共同确保了较低的导通损耗和高效的开关性能。采用MAX247通孔封装，支持高达560W的功率耗散和150°C的结温，使其在要求高可靠性和卓越散热能力的工业级电源转换、电机驱动及UPS等应用中表现出色。