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T1235T-8G-TR的图片

T1235T-8G-TR

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 12A D2PAK
原厂封装:封装:D2PAK
优势价格,T1235T-8G-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T1235T-8G-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为ST意法半导体晶闸管-TRIAC系列中的一款有源产品,T1235T-8G-TR是一款采用表面贴装封装的无缓冲器型双向可控硅。该器件采用单路配置,其核心架构基于成熟的平面钝化技术,确保了在-40°C至150°C的宽结温范围内稳定可靠的工作性能。其TO-263AB(DPak)封装不仅提供了良好的散热能力,也适应了现代电子设备对高密度贴装的生产需求。

在电气特性方面,该器件具备800V的高断态重复峰值电压,这使其能够有效抑制线路中的电压瞬变,提升系统在恶劣电网环境下的鲁棒性。其通态有效电流高达12A,结合高达95A(50Hz)的非重复浪涌电流承受能力,意味着它能够可靠地处理电机启动、白炽灯冷态接入等场合产生的瞬时大电流冲击。触发特性经过优化,最大栅极触发电压仅为1.3V,最大触发电流为35mA,这使得它能够被微控制器或逻辑电平信号轻松驱动,简化了外围驱动电路的设计。同时,最大40mA的保持电流参数确保了在触发后,即使在负载电流波动的情况下也能维持稳定导通。

该芯片的接口形式简洁,标准的TO-263-3引脚定义便于在PCB上进行布局。其关键参数组合高耐压、大通流能力、灵敏的触发与稳定的保持特性共同构成了一个坚固且易于控制的交流开关解决方案。对于需要可靠来源的客户,可以通过正规的ST芯片代理进行采购,以确保获得原厂正品和技术支持。

基于上述技术特点,T1235T-8G-TR非常适合于各类中功率交流负载的相位控制或开关控制应用。典型场景包括家用电器中的电机调速(如风扇、食品加工机)、调光器、固态继电器以及工业自动化设备中的交流电源控制模块。其表面贴装形式尤其契合当今消费电子和工业控制产品向小型化、自动化生产发展的趋势,是工程师设计紧凑型、高可靠性交流功率控制单元的优选器件。

  • 型号:T1235T-8G-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 12A D2PAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:800 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):12 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):95A,90A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):40 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
  • 想获取T1235T-8G-TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

T1235T-8G-TR是ST意法半导体推出的一款表面贴装、无缓冲器型双向可控硅。该器件核心优势在于其800V的高断态电压12A的通态有效电流能力,提供了强大的抗电压冲击和负载驱动性能。

其优化的触发特性(Vgt最大1.3V,Igt最大35mA)使其易于被低压控制电路直接驱动,同时高达95A的浪涌电流承受力确保了在恶劣工况下的可靠性。该器件采用TO-263AB(DPak)封装,工作结温范围-40°C至150°C,适用于要求紧凑布局和高可靠性的中功率交流开关与相位控制应用。

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