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T2535T-8G-TR

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC 800V 25A D2PAK
原厂封装:封装:D2PAK
优势价格,T2535T-8G-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T2535T-8G-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T2535T-8G-TR是意法半导体(STMicroelectronics)推出的T系列高性能双向可控硅(TRIAC)产品。该器件采用先进的半导体工艺和结构设计,其核心架构基于平面钝化技术,确保了在高压、大电流工作条件下的高可靠性和稳定性。内部集成的敏感栅极结构,结合优化的载流子寿命控制,使得器件在触发和导通特性上表现出色,能够有效降低开关损耗并提升整体效率。

该器件具备800V的高断态电压25A的RMS通态电流能力,为应对严苛的工业环境提供了坚实的保障。其栅极触发电压(Vgt)最大值仅为1V,触发电流(Igt)最大值为35mA,展现出极高的触发灵敏度,便于与低压控制电路直接接口,简化了驱动设计。同时,高达200A(50Hz)和210A(60Hz)的非重复浪涌电流承受能力,使其能够从容应对电机启动、容性负载接入等场景中产生的瞬时大电流冲击。保持电流(Ih)同样为35mA,确保了在低负载电流下的稳定导通,避免误关断。

在接口与参数方面,T2535T-8G-TR采用标准的单路配置,封装形式为表面贴装型的TO-263AB(DPak),这种封装具有良好的散热性能和机械强度,便于自动化生产焊接。其宽广的工作结温范围覆盖-40°C至150°C,适用于各种高低温环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借其强大的性能参数,该器件主要面向要求高可靠性和鲁棒性的交流功率控制与开关应用。典型应用场景包括工业级交流电机驱动与调速、固态继电器(SSR)、交流电源切换、照明调光控制系统以及电加热设备功率调节等。其高耐压和高浪涌能力特别适合电网电压波动较大或负载特性复杂的场合,是工程师构建高效、紧凑、耐用功率控制方案的理想选择。

  • 型号:T2535T-8G-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC 800V 25A D2PAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:标准
  • 电压 - 断态:800 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):200A,210A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):35 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
  • 想获取T2535T-8G-TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

T2535T-8G-TR是ST意法半导体推出的一款标准型、表面贴装大功率双向可控硅。该器件核心优势在于其800V的高断态耐压25A的RMS通态电流能力,为交流功率控制应用提供了高电压应力和大电流负载的处理基础。

其设计注重驱动便利性与抗冲击可靠性,最大栅极触发电压仅1V,触发电流35mA,易于驱动;同时具备200A/210A(50/60Hz)的高浪涌电流承受能力,能有效抵御启动或故障时的瞬时过流。宽达-40°C至150°C的工作结温范围及TO-263AB(DPak)封装,确保了其在严苛环境下的稳定运行与高效散热。

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