T3035H-6G-TR

意法半导体（STMicroelectronics）推出的T3035H-6G-TR是一款高性能的交流功率控制器件，属于其Alternistor系列双向可控硅（TRIAC）。该器件采用无缓冲器设计，专为处理高浪涌电流和严苛的工业环境而优化，其核心架构基于先进的半导体工艺，确保了在宽温度范围和高电压应力下的稳定与可靠。其单路配置和DPak封装形式，为高功率密度和高效散热设计提供了坚实基础。

在功能特性上，该器件展现了出色的电气性能。其断态电压高达600V，通态有效电流（It(RMS)）最大值为30A，能够胜任多数中高功率交流负载的开关与控制。更值得关注的是其强大的抗浪涌能力，在50Hz和60Hz工频下，非重复浪涌电流（Itsm）分别可达270A和284A，这使其能够从容应对电机启动、容性负载接入等瞬间产生的巨大电流冲击，极大提升了系统的鲁棒性。同时，其栅极触发特性非常灵敏，最大触发电压（Vgt）仅为1V，最大触发电流（Igt）为35mA，这意味着它可以使用驱动能力较弱的逻辑电平信号或微控制器直接进行控制，简化了外围驱动电路的设计。

该器件的接口与参数设定充分考虑了实际应用的便捷性与可靠性。其采用表面贴装型的TO-263-3（DPak）封装，这种封装具有优异的导热性能，便于通过PCB敷铜区域进行散热，非常适合自动化贴片生产。其工作结温范围宽达-40°C至150°C，确保了在极端环境温度下的稳定运行。保持电流（Ih）最大值为60mA，有助于在负载电流波动时维持导通状态，避免误关断。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取此型号产品及相关设计资源。

基于其高电压、大电流、强抗浪涌和易驱动的特点，T3035H-6G-TR非常适合于一系列要求严苛的交流功率调节与控制场景。典型应用包括工业交流电机驱动与调速、固态继电器（SSR）、交流电源开关、加热控制系统以及照明调光器等。在这些领域中，它能够提供高效、可靠且寿命长的固态开关解决方案，是实现设备智能化、节能化控制的关键元器件之一。

• 型号:T3035H-6G-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
• 描述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 30A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
• 电压 - 断态:600 V
• 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:30 A
• 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1 V
• 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):270A，284A
• 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:35 mA
• 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:60 mA
• 配置:单路
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• 想获取T3035H-6G-TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

T3035H-6G-TR是ST意法半导体生产的一款高性能、无缓冲器型双向可控硅（TRIAC），采用DPak表面贴装封装。其核心电气参数包括600V断态电压和30A通态有效电流，具备卓越的负载驱动能力。

该器件的突出优势在于其极强的抗浪涌电流能力（50Hz下高达270A）以及极低的栅极触发需求（最大1V/35mA），这使其既能承受严苛的工业环境冲击，又能被微控制器等弱信号源轻松驱动，简化了系统设计。其宽工作结温范围（-40°C至150°C）进一步保证了在各种环境下的可靠性与稳定性。