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T435-800B-TR

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 4A DPAK
原厂封装:封装:DPAK
优势价格,T435-800B-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T435-800B-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T435-800B-TR是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能三端双向可控硅开关元件(TRIAC)。该器件采用无缓冲器设计,属于可控硅-无缓冲器类型,其核心架构旨在实现高效、可靠的交流负载相位控制。它内部集成了两个反并联的晶闸管结构,能够在交流电的正负两个半周内被触发导通,从而实现全波控制。这种单路配置简化了外围电路设计,同时其优化的半导体工艺确保了在宽温度范围下的稳定性和快速开关性能。

该器件的功能特点突出体现在其强健的电气性能上。高达800V的断态重复峰值电压(VDRM使其能够从容应对电网中的电压波动和瞬态过压,为应用提供了宽裕的安全裕量。4A的RMS通态电流能力则使其适合驱动中小功率的交流负载。其触发特性尤为出色,最大栅极触发电压(Vgt)仅为1.3V,最大栅极触发电流(Igt)为35mA,这意味着它可以直接由微控制器或逻辑电平信号轻松驱动,显著降低了驱动电路的设计复杂度和成本。此外,其保持电流(Ih)同样为35mA,确保了在触发后能够稳定导通。

在接口与参数方面,T435-800B-TR采用表面贴装型TO-252-3(DPak)封装,这种封装具有良好的散热性能和机械强度,便于自动化生产。其工作结温范围覆盖-40°C至125°C,适用于严苛的工业环境。非重复浪涌电流(Itsm)在50Hz和60Hz下分别达到30A和31A,展现了其出色的抗瞬时过载能力,能够有效抵御电机启动或白炽灯冷态启动时产生的浪涌电流冲击。对于需要可靠元器件供应的项目,可以通过ST中国代理获取稳定的货源和技术支持。

基于上述特性,T435-800B-TR非常适合于各类需要对交流电源进行相位控制或开关控制的应用场景。典型应用包括家用电器中的电机速度调控(如风扇、食品加工机)、调光器、固态继电器、加热器功率控制以及通用交流负载开关。其高电压额定值和稳健的浪涌承受能力,也使其成为工业控制系统中驱动电磁阀、小型交流电机和照明设备的理想选择。

  • 型号:T435-800B-TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 4A DPAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:800 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):4 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):30A,31A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):35 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • 供应商器件封装:DPAK
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T435-800B-TR是ST意法半导体生产的一款表面贴装三端双向可控硅,采用DPak封装。其核心特性包括800V的高断态电压和4A的RMS通态电流,为交流负载控制提供了可靠的功率处理基础。

该器件具备优异的触发灵敏度,最大栅极触发电压仅1.3V,触发电流35mA,便于与低压控制电路直接接口。同时,其高达30A的非重复浪涌电流能力和-40°C至125°C的宽工作结温范围,确保了在浪涌冲击及恶劣温度环境下的稳定运行,适用于要求高鲁棒性的应用。

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