BUT100

BUT100是一款由ST意法半导体设计生产的高功率NPN双极性晶体管（BJT），采用经典的TO-3（TO-204AA）金属封装。该器件构建于成熟的硅基工艺之上，其核心架构旨在实现高电流承载与高电压阻断能力的坚固平衡。内部采用大面积芯片设计和优化的结终端结构，确保了在高达50A的集电极电流和125V的集射极电压下，仍能维持优异的电气稳定性和热性能，最大结温可达200°C，为严苛的功率处理应用提供了坚实的基础。

该晶体管的功能特点突出其作为功率开关和线性放大器的双重潜力。高达300W的最大功耗能力使其能够应对持续的大功率耗散场景。其饱和压降特性，在10A基极电流和100A集电极电流的极端条件下，Vce(sat)最大值仅为900mV，这意味着在导通状态下具有较低的功率损耗，有助于提升系统整体效率。同时，集电极截止电流最大值为1mA，体现了良好的关断特性，有助于减少待机功耗。尽管该系列产品目前已处于停产状态，但其经典型号的设计和参数在特定领域仍具有参考和应用价值，相关库存和技术支持可通过正规的ST授权代理进行咨询。

在接口与参数方面，BUT100采用通孔安装的TO-3封装，这种封装以其卓越的散热能力和机械强度著称，非常适合安装在散热器上用于高功率应用。其电气接口为标准的三引脚（发射极、基极、集电极）配置。关键直流参数包括125V的VCBO/VCEO电压额定值、50A的连续集电极电流容量以及前述的优异饱和压降特性。这些参数共同定义了一个适用于中高压、大电流开关场景的稳健功率器件。

基于其技术规格，BUT100的传统应用场景主要集中在工业控制、电源转换和音频放大等领域。例如，它可用于构成线性稳压电源的调整管、电机驱动电路中的H桥开关、或大功率音频放大器的输出级。其高耐压和高电流能力使其在需要处理数百瓦功率的开关模式电源（SMPS）、不间断电源（UPS）以及焊接设备等工业系统中，曾是可靠的选择之一。对于仍在维护或设计基于此类经典器件的系统的工程师而言，理解其极限参数和热管理要求至关重要。

• 型号:BUT100
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 125V 50A TO-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:125 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:900mV @ 10A，100A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:1mA
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:-
• 功率 - 最大值:300 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-204AA，TO-3
• 供应商器件封装:TO-3
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BUT100是ST意法半导体推出的一款大功率NPN双极性晶体管，采用TO-3金属封装。其核心卖点在于高达50A的集电极电流和125V的集射极击穿电压，能够处理最高300W的功率，适用于要求严苛的功率开关与放大电路。

该器件在导通状态下表现优异，在10A基极电流驱动100A集电极电流的条件下，饱和压降最大仅为900mV，有助于降低导通损耗，提升能效。其结温最高可达200°C，配合TO-3封装良好的散热特性，确保了在高功耗环境下的可靠运行。尽管目前已停产，但其参数规格仍为高电流、中高压应用提供了一个经典的设计参考。