STH170N8F7-2

STH170N8F7-2是ST意法半导体基于其先进的STripFET F7技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构和沟槽栅技术，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心设计聚焦于降低传导与开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。该芯片采用H2PAK-2封装，这种封装形式专为大电流应用设计，提供了优异的散热性能和机械可靠性，确保器件在高功率密度场景下的稳定运行。

在电气特性方面，该MOSFET展现出卓越的性能。其最大漏源电压（Vdss）为80V，在25°C壳温下可支持高达120A的连续漏极电流。尤为突出的是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、60A漏极电流条件下，Rds(on)典型值仅为3.7毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在120nC（@10V），有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关频率，这对于开关电源、电机驱动等应用至关重要。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）也保证了其在严苛环境下的鲁棒性。

该器件提供了全面的接口与参数保障。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，为栅极驱动设计提供了充足的裕量。驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）为10V，确保了在标准驱动电平下即可获得最优的导通性能。输入电容（Ciss）在40V漏源电压下最大值为8710pF，结合其栅极电荷参数，为设计者评估开关速度和驱动电路需求提供了关键依据。其最大功率耗散能力为250W（Tc），配合H2PAK-2封装的优良热特性，使其能够处理可观的功率水平。用户可通过ST中国代理获取详细的技术支持与供应链服务。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和良好的开关特性，STH170N8F7-2非常适用于对效率和功率密度要求苛刻的应用场景。典型应用包括工业领域的大功率DC-DC转换器、服务器及通信设备的电源模块、电动工具及无人机的高性能电机驱动控制器、以及新能源汽车中的辅助电源和电池管理系统（BMS）。其表面贴装型封装也符合现代电子设备自动化生产的需求。

• 型号:STH170N8F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8710 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH170N8F7-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用H2PAK-2封装，专为高电流、高效率应用而优化。

其核心电气参数表现突出：具备80V的漏源电压（Vdss）额定值和高达120A（Tc）的连续漏极电流能力。关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、60A Id条件下，Rds(on)最大值仅为3.7mΩ，能显著降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为120nC @ 10V，有利于实现高效的快速开关操作。

这些特性使其成为大功率开关电源、电机驱动和各类功率转换系统的理想选择，能够在-55°C至175°C的宽结温范围内稳定工作，满足工业及汽车等高要求应用场景的需求。