T435-800H

T435-800H是ST意法半导体推出的一款高性能三端双向可控硅（TRIAC）器件，隶属于其成熟的晶闸管产品线。该器件采用无缓冲器设计，核心架构基于先进的半导体工艺，实现了在紧凑封装内的高电压、大电流处理能力。其内部结构优化了载流子迁移路径，确保了在交流电全周期内高效、稳定的双向导通特性，为交流负载的相位控制提供了坚实的基础。

在功能特性方面，该器件展现出卓越的性能。800V的断态重复峰值电压（VDRM）使其能够从容应对工业及消费类应用中常见的电压波动与浪涌，提供了宽裕的安全裕量。4A的RMS通态电流能力则使其能够驱动多种中等功率的交流负载。其触发特性尤为突出，最大栅极触发电压（Vgt）仅为1.3V，最大栅极触发电流（Igt）为35mA，这意味着它能够被微控制器或逻辑电平信号轻松、可靠地驱动，简化了外围驱动电路的设计。同时，其保持电流（Ih）同样为35mA，确保了在触发后稳定的导通状态。

该器件提供了全面的电气接口与参数保障。其非重复浪涌电流（Itsm）在50Hz和60Hz工频下分别达到30A和31A，具备出色的抗瞬时过载能力。工作结温范围覆盖-40°C至125°C，使其能够适应严苛的环境温度条件，保证在工业自动化、家电控制等领域的长期可靠运行。物理接口采用标准的TO-251-3（IPak，TO-251AA）通孔封装，这种短引线设计不仅便于PCB板安装，也优化了散热性能。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购与咨询。

基于其稳健的参数表现，T435-800H非常适合一系列对可靠性和成本有要求的交流相位控制应用。典型应用场景包括家用电器中的电机调速（如风扇、搅拌机）、调光器、固态继电器、以及工业领域的加热器控制、小型交流电机驱动等。其高电压额定值和良好的触发灵敏度，使其成为替代机械式继电器、实现智能化功率控制的理想半导体解决方案。

• 型号:T435-800H
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
• 描述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 4A TO251
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
• 电压 - 断态:800 V
• 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:4 A
• 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1.3 V
• 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):30A，31A
• 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:35 mA
• 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:35 mA
• 配置:单路
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 想获取T435-800H的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

T435-800H是ST意法半导体生产的一款4A RMS、800V断态电压的三端双向可控硅（TRIAC），采用无缓冲器设计和TO-251（IPak）通孔封装。该器件核心优势在于其高电压耐受能力和易于驱动的特性，其Vgt最大值仅为1.3V，Igt最大值为35mA，可直接由低压逻辑电路控制。

此外，该器件提供了宽泛的-40°C至125°C工作结温范围，并具备高达30A/31A（50/60Hz）的非重复浪涌电流能力，确保了在各类交流开关与相位控制应用中的稳定性和鲁棒性。这些特性使其成为中等功率交流负载控制的可靠选择。