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T635T-8T

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 6A TO220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,T635T-8T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T635T-8T的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T635T-8T是ST意法半导体推出的一款高性能三端双向可控硅(TRIAC)元件,采用经典的TO-220AB通孔封装。该器件设计用于交流负载的相位控制与开关应用,其核心架构基于无缓冲器(Snubberless)技术,内部集成了优化的半导体结构,能够在关断状态下承受高电压瞬变,并有效抑制由感性或容性负载引起的电压尖峰,从而提升系统在恶劣电气环境下的可靠性与鲁棒性。

该芯片具备多项突出的功能特性。其800V的高断态重复峰值电压(VDRM使其能够轻松应对全球范围内多种交流电网电压标准(如220V/240V AC)及可能出现的浪涌,为设计提供了充裕的安全裕量。6A的RMS通态电流能力则使其适用于中等功率的调光、电机控制或加热控制电路。其触发特性尤为关键,最大栅极触发电压(Vgt)仅为1.3V,最大栅极触发电流(Igt)为35mA,这意味着它可以直接由微控制器(MCU)或低功耗逻辑电路通过简单的驱动电路进行可靠触发,简化了外围设计并降低了系统成本。此外,其高达45A(50Hz)的非重复浪涌电流承受能力,确保了器件在面对启动电流或意外短路等瞬态过流时具备出色的耐受性。

在接口与电气参数方面,T635T-8T采用标准的三引脚TO-220封装(MT1, MT2, Gate),便于安装和散热。其工作结温范围宽达-40°C 至 150°C,使其能够适应工业级和消费类产品中常见的严苛温度环境。保持电流(Ih)最大值为40mA,有助于在负载电流较低时维持导通状态的稳定性。作为一款有源状态的成熟产品,其长期供货稳定,用户可通过ST授权代理渠道获取可靠的原装正品与技术支持。

凭借其稳健的性能参数,T635T-8T非常适合于一系列需要交流电相位控制或开关功能的场景。典型应用包括家用电器(如风扇调速器、搅拌机、吸尘器功率控制)、工业控制(小型交流电机驱动、固态继电器)、照明系统(白炽灯或LED驱动器的调光控制)以及电源管理模块中的交流输入切换。其无缓冲器设计尤其适合驱动感性负载(如电机、变压器),能够减少外部缓冲电路元件,实现更紧凑、更经济的解决方案。

  • 型号:T635T-8T
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 6A TO220
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:800 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):6 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):45A,47A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):40 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
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T635T-8T是ST意法半导体生产的一款800V/6A三端双向可控硅,采用TO-220AB通孔封装。该器件属于无缓冲器型TRIAC,专为简化交流相位控制与开关应用的外围电路而设计。

其核心优势在于高耐压与易驱动特性:800V的断态电压提供了强大的抗浪涌能力,而最大1.3V的栅极触发电压和35mA的触发电流使其易于被微控制器等低电压逻辑直接驱动。同时,它支持高达150°C的工作结温,并具备45A的浪涌电流承受能力,确保了在宽温范围及瞬态过载条件下的稳定运行。

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