T835H-8I

T835H-8I是ST意法半导体推出的一款高性能三端双向可控硅（TRIAC），采用经典的TO-220-3通孔封装，专为要求高可靠性和鲁棒性的交流负载控制应用而设计。其核心架构基于先进的半导体工艺，实现了800V的高断态电压与8A RMS通态电流的优异组合，确保了在严苛的工业与消费电子环境中稳定工作。

该器件属于无缓冲器（Snubberless）系列，这一设计使其能够有效抑制由感性负载（如电机、变压器）开关过程中产生的电压尖峰，从而显著降低对外部缓冲电路的需求，简化了系统设计并提高了整体可靠性。其栅极触发特性经过优化，最大栅极触发电压(Vgt)仅为1.3V，触发电流(Igt)最大值为35mA，这使得它能够与广泛的微控制器或逻辑电路直接兼容，降低了驱动电路的复杂性和成本。同时，其保持电流(Ih)同样为35mA，确保了在触发后稳定导通，直至负载电流降至该阈值以下。

在电气参数方面，T835H-8I展现了卓越的浪涌电流承受能力，其非重复浪涌电流(Itsm)在50Hz和60Hz条件下分别高达80A和84A，能够有效应对启动瞬间或故障状态下的电流冲击。其工作结温范围宽达-40°C至150°C，使其能够适应从寒冷环境到高温机箱内部的各类应用场景。作为ST意法半导体的重要产品，用户可以通过其遍布全球的ST授权代理网络获取可靠的技术支持和正品货源保障。

凭借其高电压、大电流、强抗浪涌能力以及简化的驱动要求，该器件非常适合用于交流电机控制、固态继电器、工业与家用照明调光器、加热控制系统以及各类交流电源开关。其TO-220封装提供了良好的散热性能，便于安装在散热器上，以满足持续大电流工作下的热管理需求，是工程师设计高效、紧凑、耐用功率控制方案的理想选择。

• 型号:T835H-8I
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220AB 绝缘
• 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
• 描述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 8A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
• 电压 - 断态:800 V
• 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:8 A
• 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1.3 V
• 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A，84A
• 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:35 mA
• 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:35 mA
• 配置:单路
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220AB 绝缘
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T835H-8I是ST意法半导体生产的一款8A RMS、800V断态电压的三端双向可控硅，采用TO-220-3通孔封装。作为无缓冲器系列器件，它专为简化交流开关应用设计，能够有效管理感性负载切换时产生的电压瞬变。

其核心特性包括优化的低栅极驱动需求（Vgt最大1.3V，Igt最大35mA），以及高达80A/84A的强浪涌电流承受能力。宽工作结温范围（-40°C至150°C）确保了其在各种环境下的稳定性和可靠性，适用于电机控制、调光、加热控制等广泛的功率调节场景。