STB18NM80

STB18NM80是ST意法半导体基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心架构通过创新的单元布局和工艺技术，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性和雪崩耐量，为高压开关应用提供了坚实的性能基础。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其800V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和浪涌冲击。在导通特性方面，器件在10V栅极驱动下，导通电阻典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。此外，其优化的栅极电荷（Qg）和电容特性有助于减少开关过程中的损耗，并简化驱动电路的设计，使得开关频率可以进一步提升。其封装采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装形式，提供了良好的功率耗散能力，在管壳温度（Tc）下最大功耗可达190W，结合高达150°C的结温（Tj）额定值，确保了器件在严苛环境下的长期可靠运行。

在电气参数上，STB18NM80在25°C管壳温度下连续漏极电流（Id）额定值为17A，能够承载可观的负载电流。其栅极阈值电压（Vgs(th)）设计合理，提供了足够的噪声容限，而±25V的最大栅源电压则给予了驱动设计充分的灵活性。对于需要稳定供应链和原厂技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理进行采购，以获取正品保障和相关服务。这些接口与参数特性共同定义了一款适用于高效率、高可靠性场景的功率开关器件。

基于其高性能指标，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的领域。典型应用包括工业电源中的功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、不间断电源（UPS）以及电机驱动和照明镇流器的功率转换级。在这些场景中，其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能有助于提升系统整体效率，减少散热需求，并提高功率密度，是工程师设计下一代高效能电力电子系统的优选功率器件之一。

• 型号:STB18NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2070 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB18NM80是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用表面贴装型D2PAK封装，核心额定参数为800V漏源电压（Vdss）和17A连续漏极电流（Id），为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在较低的导通电阻与优化的动态特性上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）表现出色，有助于最小化导通损耗。同时，控制的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有利于实现更快的开关速度和降低驱动损耗，从而提升系统整体效率。结合190W的功率耗散能力和高达150°C的结温工作范围，此器件确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性，主要面向工业电源、电机驱动及高效照明系统等应用领域。