TMMBAT41FILM

作为一款采用肖特基势垒技术的单整流二极管，TMMBAT41FILM的核心架构基于金属-半导体结原理，相较于传统的PN结二极管，其多子导电机制从根本上消除了少数载流子的存储效应。这一物理特性是决定其卓越高频性能与快速开关能力的基础。器件采用紧凑的迷你型MELF（DO-213AA玻璃封装）表面贴装形式，在实现小型化的同时，其圆柱形玻璃结构也提供了良好的机械强度和热稳定性。

该器件的功能特点突出体现在其极低的正向压降与出色的高频响应上。在1mA的测试条件下，其典型正向压降（Vf）仅为450mV，这有助于在低电压、小电流应用中显著降低导通损耗，提升系统效率。同时，得益于肖特基二极管的本征特性，它在小信号（≤200mA）应用场景下具备任意速度的快速开关能力，且无需考虑反向恢复时间（trr）的限制。其反向漏电流在50V反向电压下典型值仅为100nA，而结电容在1V、1MHz条件下低至2pF，这些参数共同确保了其在高速开关与高频电路中的信号完整性与低功耗表现。

在接口与关键参数方面，TMMBAT41FILM定义了明确的操作边界。其最大直流反向耐压（Vr）为100V，平均整流电流（Io）为100mA，这为其在低压电源和信号线路中的应用提供了安全裕度。表面贴装的安装方式兼容自动化生产流程。对于需要稳定供货与技术支持的设计项目，通过正规的ST一级代理渠道进行采购，是确保获得原装正品并获取完整技术资料的有效途径。

基于其技术特性，该器件非常适合应用于对效率和速度有较高要求的领域。典型应用场景包括低压DC-DC转换器中的续流或隔离二极管、高频信号检波与整流、射频电路中的钳位保护，以及各类便携式电子设备、通信模块中的信号处理单元。其迷你MELF封装尤其适合在PCB空间受限的高密度电路板布局中使用，在保证性能的同时满足现代电子产品小型化、轻量化的设计趋势。

• 型号:TMMBAT41FILM
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:迷你型 MELF
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOT 100V 100MA MINI MELF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:100 V
• 电流 - 平均整流 (Io):100mA
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 mA
• 速度:小信号 =\< 200mA（Io），任意速度
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 50 V
• 不同Vr、F 时电容:2pF @ 1V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:DO-213AA（玻璃）
• 供应商器件封装:迷你型 MELF
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C
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TMMBAT41FILM是ST意法半导体推出的一款100V、100mA肖特基势垒二极管，采用迷你型MELF（DO-213AA）表面贴装封装。其核心优势在于极低的正向压降（典型值450mV @ 1mA）与适用于高频场景的优异特性，包括小信号下的快速开关能力以及低至2pF的结电容。

该器件在50V反向电压下的漏电流典型值仅为100nA，体现了良好的反向阻断特性。这些参数使其成为高效率、低损耗设计的理想选择，特别适用于空间紧凑且要求快速响应的低压电源管理、信号整流及高频电路保护等应用。