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T835T-8T

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 8A TO220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,T835T-8T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T835T-8T的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T835T-8T是ST意法半导体推出的一款高性能三端双向可控硅开关元件(TRIAC),采用经典的TO-220AB通孔封装。该器件属于无缓冲器型双向可控硅,其核心设计旨在提供高效、可靠的交流相位控制能力。其内部结构基于成熟的平面钝化技术,确保了在高达800V断态电压下的稳定阻断特性,同时优化的半导体结设计实现了低导通损耗和高浪涌电流承受能力,为各种交流开关应用提供了坚固的电气基础。

该器件具备出色的触发与控制特性。最大栅极触发电压(Vgt)仅为1.3V,最大栅极触发电流(Igt)为35mA,这表明它能够被微控制器或逻辑电路的低电平信号轻松、可靠地触发,简化了驱动电路设计。同时,其保持电流(Ih)最大值为40mA,确保了在触发后能够在较低的负载电流下维持导通状态,提升了在轻载或波形过零附近工作的稳定性。其通态有效电流(It(RMS))额定值为8A,足以驱动多数中型交流负载,如电机、加热器和照明设备。

在电气参数方面,800V的断态重复峰值电压(VDRM)为其提供了充足的电压裕量,能够有效应对交流线路中的电压波动和瞬态尖峰,增强了系统的鲁棒性。其非重复浪涌电流(Itsm)在50Hz和60Hz工频下分别达到60A和63A,赋予了该芯片强大的抗瞬时过载能力,能够承受如电机启动或白炽灯冷态冲击等产生的电流浪涌。宽泛的结温工作范围(-40°C至150°C)使其能够适应苛刻的工业环境温度变化。用户可以通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其平衡的性能参数和TO-220封装带来的良好散热特性,T835T-8T非常适合于需要固态继电功能的各类应用场景。它常见于交流电机调速控制、调光器、温度控制器以及通用交流电源开关电路中。其高电压额定值和稳健的浪涌性能也使其成为家电、工业自动化设备中交流功率控制模块的理想选择,为实现高效、无声且长寿命的功率切换提供了核心解决方案。

  • 型号:T835T-8T
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNISTOR 800V 8A TO220
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:800 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.3 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):60A,63A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):35 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):40 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
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T835T-8T是ST意法半导体生产的一款8A、800V无缓冲型三端双向可控硅,采用TO-220-3通孔封装。该器件设计用于交流线路的相位控制与开关应用,其核心优势在于高阻断电压与稳健的浪涌电流承受能力。

它具备易于驱动的特性,最大栅极触发电压仅1.3V,触发电流35mA,可与低压控制电路直接接口。同时,高达60A/63A的非重复浪涌电流额定值确保了其在负载突变或启动冲击下的高可靠性。宽工作结温范围(-40°C至150°C)进一步扩展了其在严苛环境下的适用性。

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