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T850H-6I的图片

T850H-6I

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 8A TO220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,T850H-6I的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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T850H-6I的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

T850H-6I是ST意法半导体推出的一款高性能三端双向可控硅(TRIAC)元件,采用标准的TO-220AB通孔封装,专为要求高可靠性和强鲁棒性的交流负载控制应用而设计。其核心架构基于先进的平面钝化技术,确保了在高达600V断态电压下的稳定阻断能力。该器件属于无缓冲器(Snubberless)系列,内部集成了优化的门极结构和硅片设计,能够在没有外部缓冲电路的条件下,有效抑制由感性或容性负载切换时产生的电压尖峰和电流浪涌,从而简化了外围电路设计并提升了系统整体可靠性。

该器件的功能特点突出体现在其优异的电气性能上。其通态有效电流(It(RMS))高达8A,能够驱动中等功率的交流负载,如电机、加热器和照明设备。更关键的是,其栅极触发特性非常灵敏,最大栅极触发电压(Vgt)仅为1V,最大栅极触发电流(Igt)为50mA,这意味着它可以使用低功耗的逻辑电平信号或微控制器I/O口直接驱动,极大地降低了控制电路的设计复杂度和成本。同时,其最大保持电流(Ih)为75mA,确保了在触发后能够稳定导通,直至负载电流自然过零关断,这对于交流相位控制至关重要。其非重复浪涌电流能力(Itsm)在50Hz和60Hz条件下分别达到80A和84A,提供了出色的抗瞬时过载能力,增强了系统在异常情况下的生存性。

在接口与参数方面,T850H-6I采用经典的三引脚(MT1, MT2, Gate)单路配置,封装形式为通孔TO-220-3,便于安装在散热器上以优化热管理。其宽泛的工作结温范围(-40°C至150°C)使其能够适应严苛的工业环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理获取原装正品和全面的应用指导。这些参数共同构成了一个坚固、高效且易于使用的功率开关解决方案。

基于上述特性,T850H-6I非常适合应用于各类需要对交流电源进行相位控制或开关控制的场景。典型应用包括家用电器(如洗衣机、空调、咖啡机)中的电机速度调节和加热器功率控制,工业自动化设备中的固态继电器(SSR)和接触器替代,以及楼宇自动化中的照明调光和风扇调速系统。其无缓冲器设计尤其适用于驱动小型感应电机和变压器等感性负载,有效减少了元件数量和电路板空间,是实现紧凑、高效、低成本交流功率控制的理想选择。

  • 型号:T850H-6I
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 8A TO220
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:600 V
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):8 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A,84A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):50 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):75 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
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T850H-6I是ST意法半导体生产的一款600V、8A RMS三端双向可控硅(TRIAC),采用TO-220AB封装。作为一款“无缓冲器”型器件,它内置了抗浪涌和电压尖峰的保护特性,无需外部缓冲电路即可安全切换感性或容性负载,显著简化了电路设计并提高了可靠性。

其核心优势在于优异的触发灵敏度和强大的电流处理能力。极低的栅极触发要求(Vgt最大1V, Igt最大50mA)使其可直接由微控制器驱动,便于实现智能控制。同时,高达80A/84A的非重复浪涌电流能力和150°C的最大结温,确保了其在恶劣电气环境及宽温度范围内的稳定工作,适用于要求严苛的工业与消费类应用。

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