TD350E

TD350E是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能单通道高端栅极驱动器IC，采用14-SOIC封装，专为驱动IGBT和N沟道功率MOSFET而优化设计。该器件采用成熟的BCD工艺制造，内部集成了逻辑输入处理、电平转换、自举二极管以及高电流输出级，其架构旨在提供可靠的电气隔离和高效的功率开关控制，确保在严苛的工业环境中稳定运行。

该驱动器具备非反相输入逻辑，兼容宽范围的微控制器接口，其逻辑输入阈值（VIL=0.8V， VIH=4.2V）设计使其能有效抑制噪声干扰。其核心优势在于强大的驱动能力，峰值拉电流和灌电流分别达到2.3A和1.5A，结合典型值130ns的上升时间和75ns的下降时间（最大值），能够实现功率器件的快速开通与关断，显著降低开关损耗，提升系统整体效率。其工作电压范围宽达12V至26V，为设计提供了灵活性，同时结温工作范围覆盖-40°C至150°C，保证了在高温工业应用中的可靠性。

在接口与参数方面，TD350E采用表面贴装型14-SOIC封装，便于自动化生产。其单通道高端驱动配置，非常适合用于半桥、全桥拓扑的上桥臂或高边开关驱动。器件内置的自举电路简化了高边驱动的电源设计，用户可通过ST一级代理获取完整的设计支持与样品。其稳健的设计能够承受负瞬态电压，并提供了欠压锁定（UVLO）保护功能，防止功率管在电压不足时不完全导通，从而增强了系统的安全性。

这款驱动器广泛应用于需要高效、可靠功率转换的领域，典型场景包括电机驱动（如工业变频器、伺服驱动器）、开关电源（如通信电源、服务器电源）、不间断电源（UPS）以及光伏逆变器等。其快速开关特性和强大的驱动电流使其成为驱动中大功率IGBT模块或MOSFET阵列的理想选择，尤其在对开关频率、效率和电磁干扰（EMI）有严格要求的中高功率系统中表现出色。

• 型号:TD350E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 14SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12V ~ 26V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，4.2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，2.3A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:130ns，75ns（最大）
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
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TD350E是ST意法半导体生产的一款单通道高端栅极驱动器IC，采用14-SOIC封装，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计。其核心特性包括宽范围工作电压（12V-26V）、强大的2.3A/1.5A峰值输出电流以及快速的开关性能（典型上升/下降时间为130ns/75ns），能有效降低开关损耗，提升系统效率。

该器件逻辑输入兼容性强（VIL/VIH为0.8V/4.2V），采用非反相输入，便于与控制器接口。其工作结温范围宽达-40°C至150°C，并内置欠压锁定保护，确保了在工业电机驱动、电源转换和逆变器等严苛应用环境中的高可靠性和鲁棒性。