TD350ID

TD350ID是ST意法半导体推出的一款高性能单通道高端栅极驱动器，采用14-SOIC封装，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET等功率开关器件而优化设计。该器件内部集成了先进的电平转换和驱动电路，能够在12V至26V的宽范围供电电压下稳定工作，其逻辑输入兼容TTL和CMOS电平，阈值设计为0.8V（VIL）和4.2V（VIH），确保了与主流微控制器或数字信号处理器的可靠接口。

该驱动器的核心优势在于其强大的驱动能力和快速的开关特性。它能够提供高达2.3A的峰值拉电流和1.5A的峰值灌电流，可有效降低功率管在开关过程中的损耗并抑制米勒效应。其典型的上升和下降时间分别控制在130ns和75ns以内，这有助于实现高频开关应用，同时减少开关噪声和电磁干扰。器件采用非反相输入逻辑，简化了系统控制时序的设计。

在接口与可靠性方面，TD350ID展现了出色的鲁棒性。其工作结温范围覆盖-40°C至150°C，适用于严苛的工业环境。表面贴装型（SMT）的14-SOIC封装便于自动化生产并节省电路板空间。尽管该产品目前已处于停产状态，但通过正规的ST中国代理渠道，工程师仍可获得可靠的技术支持与供应链服务，以保障现有设计的持续生产与维护。

这款驱动器典型应用于需要高效、可靠高端驱动的场合，例如开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、电机驱动系统中的逆变器桥臂、以及不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等工业电源设备。其高性能指标使其成为中高功率密度电源解决方案中驱动级的关键组件。

• 型号:TD350ID
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 14SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:高端
• 通道类型:单路
• 驱动器数:1
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:12V ~ 26V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，4.2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，2.3A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:-
• 上升/下降时间（典型值）:130ns，75ns（最大）
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
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TD350ID是ST意法半导体生产的一款单通道高端栅极驱动器IC，采用14-SOIC封装，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计。其供电电压范围为12V至26V，逻辑输入兼容标准电平，具备非反相控制特性。

该器件的核心性能体现在其强大的2.3A/1.5A峰值输出电流以及130ns/75ns的快速开关速度上，这确保了功率器件的高效、低损耗开关。其工作结温范围宽达-40°C至150°C，采用表面贴装形式，适用于要求高可靠性的工业电源与电机驱动应用。