TIP135

ST意法半导体推出的TIP135是一款采用PNP达林顿架构的功率晶体管。其内部结构由两个PNP型晶体管复合而成，这种设计显著放大了输入电流，从而能以极小的基极驱动电流控制较大的集电极负载电流。该器件采用经典的TO-220-3通孔封装，具备良好的机械强度和散热能力，便于安装在散热器上以应对功率应用中的热管理需求。

该晶体管的核心优势在于其高电流增益与强电流驱动能力。其直流电流增益（hFE）在典型工作条件下（4A，4V）最小值可达1000，这意味着仅需数毫安级的基极电流即可实现对安培级负载电流的稳定控制，极大地简化了前级驱动电路的设计。同时，其集电极电流最大值可达8A，集射极击穿电压为60V，使其能够胜任中功率开关及线性放大任务。尽管其饱和压降在6A电流、30mA基极电流条件下典型值为4V，这在达林顿结构中属于常见特性，设计时需将此功耗纳入热计算考量。

在电气参数方面，TIP135的集电极截止电流最大值为500A，体现了其良好的关断特性。其最大功耗为2W，结合高达150°C的结温（TJ）额定值，赋予了其在高温环境下稳定工作的潜力。对于需要可靠货源与技术支持的用户，可以咨询官方授权的ST一级代理以获取相关产品信息。需要注意的是，该器件目前已处于停产状态，在新设计中选择时需评估供应链的长期可持续性。

基于其性能特点，TIP135非常适用于需要PNP极性、高电流增益和中功率处理的场合。典型应用包括音频功率放大器的输出级、线性稳压电源中的调整管、电机驱动电路中的低速开关控制，以及各种继电器、电磁阀和指示灯的中功率驱动。在这些场景中，其达林顿结构有效降低了对前级控制信号电流的要求，使得采用运算放大器或逻辑电路直接驱动成为可能，从而简化了整体系统设计。

• 型号:TIP135
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS PNP DARL 60V 8A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:PNP - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:8 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:60 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:4V @ 30mA，6A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:500A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1000 @ 4A，4V
• 功率 - 最大值:2 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
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TIP135是STMicroelectronics生产的一款PNP达林顿功率晶体管，采用TO-220封装。其核心特性在于高达1000倍的直流电流增益（hFE），能够以极小的基极输入电流驱动最大8A的集电极负载电流，同时承受最高60V的集射极电压。

该器件设计用于简化驱动电路，适用于中功率开关与线性放大应用。其2W的最大功耗和150°C的最高结温为其在各类控制与驱动场景中提供了可靠的性能基础。需要注意的是，此型号目前已停产。