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TPDV1025RG

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNISTOR 1KV 25A TOP3
原厂封装:封装:TOP3
优势价格,TPDV1025RG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TPDV1025RG的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

TPDV1025RG是ST意法半导体推出的一款高性能、高可靠性双向可控硅(TRIAC)功率半导体器件。该器件采用先进的晶闸管工艺技术,其核心架构设计旨在实现交流负载的高效、稳定和精确控制。它属于无缓冲器(Snubberless)类型的双向可控硅,这一设计使其在关断过程中能够承受更高的电压变化率(dv/dt),从而在许多应用中无需外部缓冲电路即可稳定工作,有效简化了系统设计并提高了可靠性。

该器件的功能特点突出体现在其强大的功率处理能力和稳健的电气特性上。其断态重复峰值电压高达1kV,使其能够从容应对工业级交流电源环境中的高压波动和瞬态冲击。通态有效电流(It(RMS))额定值为25A,确保了其能够驱动大功率负载。其栅极触发特性经过优化,最大触发电压(Vgt)仅为1.5V,最大触发电流(Igt)为150mA,这意味着它可以使用驱动能力要求较低的微控制器或逻辑电路直接或通过简单电路进行可靠触发,降低了控制电路的复杂性和成本。此外,其最大保持电流(Ih)为50mA,有助于确保在负载电流波动时维持稳定导通。

在接口与关键参数方面,TPDV1025RG展现了卓越的鲁棒性。其非重复浪涌电流(Itsm)在50Hz和60Hz工频下分别达到230A和250A,提供了出色的抗瞬时过载能力,这对于应对电机启动、白炽灯冷态接入等产生的浪涌电流至关重要。器件采用经典的TO-3金属封装(TOP-3),这种封装具有良好的机械强度和出色的散热性能,通过通孔安装方式能有效地将芯片产生的热量传导至散热器,确保其在-40°C至125°C的宽结温范围内稳定工作。对于需要可靠元器件供应的设计项目,可以通过授权的ST代理商获取原装正品和技术支持。

基于上述特性,TPDV1025RG非常适合应用于要求严苛的工业控制和消费类大功率交流开关场景。典型应用包括工业交流电机驱动与调速、固态继电器(SSR)、交流电源切换、加热控制系统以及大型照明设备的调光与开关控制。其高电压、大电流以及强抗浪涌能力,使其成为替代传统机械式接触器和继电器的理想固态解决方案,能够显著提升系统的开关速度、使用寿命和整体能效。

  • 型号:TPDV1025RG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TOP3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNISTOR 1KV 25A TOP3
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:1 kV
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):25 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):230A,250A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):150 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):50 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TOP-3
  • 供应商器件封装:TOP3
  • 想获取TPDV1025RG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

TPDV1025RG是ST意法半导体生产的一款高性能无缓冲器双向可控硅(TRIAC),采用TO-3封装。该器件核心优势在于其1kV的高断态电压25A的通态有效电流能力,为高压大功率交流负载控制提供了坚实的基础。

其电气参数针对可靠驱动进行了优化,包括低至1.5V的栅极触发电压和150mA的触发电流,简化了控制电路设计。同时,高达230A/250A的非重复浪涌电流承受能力和-40°C至125°C的宽工作结温范围,确保了其在电机启动、浪涌冲击等严苛工业环境下的稳定性和长寿命。

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