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TPDV1240RG的图片

TPDV1240RG

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分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRIAC ALTERNISTOR 1.2KV 40A TOP3
原厂封装:封装:TOP3
优势价格,TPDV1240RG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TPDV1240RG的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

TPDV1240RG是ST意法半导体推出的一款高性能、高可靠性双向可控硅(TRIAC)功率半导体器件,隶属于其ALTERNISTOR系列。该器件采用经典的TOP-3通孔封装,专为要求严苛的工业和消费类交流功率控制应用而设计。其核心架构基于先进的半导体工艺,实现了在单芯片上集成两个反向并联的晶闸管结构,从而能够对交流电的正负两个半周进行对称控制,简化了电路设计并提高了系统集成度。

该器件的一个显著特点是其高达1.2kV的断态重复峰值电压(VDRM,这使其能够轻松应对全球范围内多种电网电压标准下的瞬态过压冲击,确保了在恶劣电气环境下的稳定运行。同时,40A的RMS通态电流能力赋予了它强大的负载驱动潜能,能够直接控制大功率电机、加热器等设备。其栅极触发特性经过优化,最大触发电压(VGT)仅为1.5V,最大触发电流(IGT)为200mA,这意味着它可以直接由微控制器(MCU)或逻辑电路通过简单的驱动电路进行可靠触发,降低了外围电路的复杂性和成本。此外,高达350A(50Hz)和370A(60Hz)的非重复浪涌电流承受能力,为应对电机启动等场合的瞬时大电流冲击提供了充足的裕量。

在接口与参数方面,TPDV1240RG采用标准的三引脚(MT1, MT2, Gate)配置,安装方式为通孔,便于在厚实的PCB或散热板上进行机械固定和散热管理。其工作结温范围覆盖-40°C至125°C,确保了在极端温度环境下的适用性。低至50mA的保持电流(IH)特性,使其在导通后能够维持在小电流负载下的稳定状态,减少了误关断的风险。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购与咨询。

基于上述技术特性,TPDV1240RG非常适合应用于工业级交流电机调速、固态继电器(SSR)、交流电源开关、照明调光控制器、以及大功率电加热控制系统中。其高耐压和高电流处理能力,使其成为替代传统机械式接触器和继电器的理想固态解决方案,能够显著提升系统的开关速度、使用寿命和抗干扰能力,是实现设备智能化升级和节能控制的关键元器件之一。

  • 型号:TPDV1240RG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TOP3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
  • 描述:TRIAC ALTERNISTOR 1.2KV 40A TOP3
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断态:1.2 kV
  • 电流 - 通态 (It (RMS))(最大值):40 A
  • 电压 - 栅极触发 (Vgt)(最大值):1.5 V
  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):350A,370A
  • 电流 - 栅极触发 (Igt)(最大值):200 mA
  • 电流 - 保持 (Ih)(最大值):50 mA
  • 配置:单路
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TOP-3
  • 供应商器件封装:TOP3
  • 想获取TPDV1240RG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

TPDV1240RG是ST意法半导体生产的一款大功率双向可控硅,采用TOP-3通孔封装。该器件核心优势在于其1.2kV的高断态电压40A的RMS通态电流能力,为严苛的工业交流控制应用提供了坚实的电压与电流余量。

其优化的触发特性(VGT最大1.5V, IGT最大200mA)便于与低压控制电路直接接口,简化了驱动设计。同时,高达350A/370A的浪涌电流承受力和宽广的-40°C至125°C工作结温范围,确保了其在电机启动、加热控制等存在冲击电流与温度波动的场景中的高可靠性与长寿命。

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