TRD236DT4

作为ST意法半导体旗下的一款经典功率器件，TRD236DT4是一款采用NPN型双极性结型晶体管（BJT）架构的单管元件。其核心设计旨在实现高电压下的可靠开关与线性放大，内部结构优化了载流子传输路径，以在高压、大电流工况下维持稳定的性能。该器件采用表面贴装型TO-252-3（DPak）封装，这种封装形式在提供良好散热能力的同时，也满足了现代电子设备对PCB空间紧凑布局的要求。

在电气特性方面，该晶体管展现出显著的优势。其集电极-发射极击穿电压高达400V，最大集电极电流为4A，这使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和电流负载。在饱和导通状态下，当基极电流为600mA、集电极电流为2.5A时，其集电极-发射极饱和压降最大值为1.3V，较低的导通压降有助于减少功率损耗，提升整体能效。同时，器件在2.5A集电极电流和5V集电极-发射极电压下的直流电流增益（hFE）最小值为8，这一参数确保了在驱动大电流负载时具备足够的电流放大能力。

器件的接口形式由其封装决定，三个引脚（基极、集电极、发射极）加上作为集电极延伸并用于散热的接片，构成了标准的DPak引脚布局。其最大功耗为35W，结合高达150°C的结温（TJ）工作范围，赋予了它良好的热鲁棒性，能够在环境温度较高的应用中稳定运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但通过ST中国代理等正规渠道，仍有可能获取库存或替代方案信息，以支持既有产品的维护与生命周期管理。

基于其高耐压、中高电流处理能力以及良好的功率特性，TRD236DT4的传统应用场景主要集中在离线式开关电源（SMPS）的功率开关级、电子镇流器、电机控制驱动电路以及各类AC-DC转换器的功率调整部分。它适用于需要可靠开关动作和一定功率处理能力的工业控制、照明系统和家用电器电源模块。

• 型号:TRD236DT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 400V 4A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:400 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.3V @ 600mA，2.5A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:250A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:8 @ 2.5A，5V
• 功率 - 最大值:35 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
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TRD236DT4是ST意法半导体推出的一款NPN型双极性功率晶体管，采用表面贴装DPak（TO-252）封装。其核心电气参数定义了它在高压功率应用中的定位，包括高达400V的集射极击穿电压和4A的最大集电极电流，使其能够胜任开关电源和电机驱动中的主功率开关角色。

该器件在2.5A电流下的最小直流电流增益（hFE）为8，并在特定条件下提供低至1.3V的饱和压降，这有助于优化开关效率和减少导通损耗。最大35W的功耗能力和150°C的结温工作范围，进一步确保了其在苛刻热环境下的可靠性。尽管产品状态为停产，其参数组合仍代表了其在同类中功率高压晶体管中的经典性能。