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TS27M2BIDT

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集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,TS27M2BIDT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TS27M2BIDT的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

TS27M2BIDT是ST意法半导体推出的一款双通道通用运算放大器,采用先进的CMOS工艺制造,封装于紧凑的8-SOIC表面贴装封装内。该器件专为在宽电压范围和宽温度区间内提供稳定、可靠的性能而设计,其核心架构围绕低功耗与高精度平衡进行优化。每个通道均具备极低的输入偏置电流和输入失调电压,结合单位增益稳定的内部补偿,确保了信号调理的准确性和设计的简便性。

该运算放大器集成了多项关键特性,使其在众多应用中表现出色。其供电范围极宽,支持单电源3V至16V或双电源±1.5V至±8V工作,为不同电源架构的系统设计提供了高度的灵活性。同时,每个放大器通道仅消耗150A的静态电流,双通道总计300A,实现了优异的功耗控制,非常适合电池供电或对功耗敏感的设备。尽管功耗极低,它仍能提供高达45mA的输出电流,驱动能力满足多数负载需求。其1MHz的增益带宽积和0.6V/s的压摆率,使其能够胜任音频处理、传感器信号缓冲、有源滤波等中低速精度应用。

在电气参数方面,TS27M2BIDT展现了出色的直流精度,输入偏置电流低至1pA,极大降低了对高阻抗信号源的影响;输入失调电压典型值为250V,有助于减少系统误差。其工作温度范围覆盖工业级标准的-40°C至125°C,保证了在苛刻环境下的稳定运行。该器件提供卷带(TR)或剪切带(CT)包装,适用于自动化贴片生产。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的设计项目,通过授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗和供货稳定的重要途径。

基于其低功耗、高输入阻抗、宽压工作和良好的直流性能,TS27M2BIDT非常适合便携式医疗仪器、工业传感器变送器、电池管理系统(BMS)的电压监测、便携式消费电子产品的信号调理以及各类需要长时间运行的物联网(IoT)节点设备。在这些场景中,它能够有效延长设备续航时间,同时确保信号链路的精度和可靠性。

  • 型号:TS27M2BIDT
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
  • 描述:IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 放大器类型:CMOS
  • 电路数:2
  • 输出类型:-
  • 压摆率:0.6V/s
  • 增益带宽积:1 MHz
  • -3db 带宽:-
  • 电流 - 输入偏置:1 pA
  • 电压 - 输入补偿:250 V
  • 电流 - 供电:150A(x2 通道)
  • 电流 - 输出/通道:45 mA
  • 电压 - 跨度(最小值):3 V
  • 电压 - 跨度(最大值):16 V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取TS27M2BIDT的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

TS27M2BIDT是ST意法半导体生产的一款双通道、CMOS工艺的通用运算放大器,采用8-SOIC封装。该器件核心优势在于极低的功耗与宽范围供电能力的结合,每个通道静态电流仅150A,并支持3V至16V单电源或±1.5V至±8V双电源工作,为节能型设计提供了坚实基础。

其电气参数针对精度应用进行了优化,具备1pA的超低输入偏置电流和250V的输入失调电压,确保了在高阻抗传感器接口和精密测量电路中的信号保真度。同时,45mA的输出电流驱动能力和1MHz的增益带宽积,使其能够胜任多种中低速模拟信号调理任务。器件工作温度范围为-40°C至125°C,满足工业环境的应用需求。

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