TS861IDT

TS861IDT是ST意法半导体推出的一款高性能、微功耗轨到轨输入/输出比较器。该器件采用先进的BiCMOS工艺制造，集成了低功耗、高精度与快速响应特性，为需要精密电压比较的应用提供了可靠的解决方案。其核心架构设计确保了在宽电源电压范围内稳定工作，同时将静态电流消耗控制在极低水平，这使得它特别适合由电池供电或对功耗有严格要求的便携式与远程设备。

该比较器具备轨到轨输入与输出能力，允许输入信号范围覆盖整个电源电压范围，输出级则能提供接近电源轨的电压摆幅，从而最大限度地提高动态范围并简化与后续数字或模拟电路的接口设计。其极低的输入偏置电流（典型值300pA）和低输入失调电压（最大值15mV）保证了高精度的比较阈值，减少了信号检测误差。此外，高达70dB的共模抑制比（CMRR）有效抑制了电源和共模噪声，提升了在嘈杂环境中的信号处理可靠性。

在接口与电气参数方面，TS861IDT支持2.7V至10V的单电源或±1.35V至±5V的双电源供电，静态电流最大值仅为16A，实现了性能与功耗的出色平衡。其传播延迟典型值在2s以内，响应速度足以满足多数中低速监控、检测和控制回路的需求。器件采用标准的8引脚SOIC封装，支持表面贴装工艺，工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C，确保了在各种环境条件下的稳定性和耐用性。用户可以通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其微功耗、高精度和宽电压工作范围的特点，TS861IDT广泛应用于电池管理系统中的电压监控、过充/过放保护，便携式医疗设备的阈值检测，工业传感器接口的信号调理与窗口比较，以及消费电子中的电源管理、电平检测和唤醒电路。其通用型设计使其成为众多需要可靠电压比较功能的嵌入式系统的理想选择。

• 型号:TS861IDT
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 线性 > 比较器
• 描述:IC COMPARATOR 1 GEN PUR 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 类型:标准（通用）
• 元件数:1
• 输出类型:推挽式
• 电压 - 供电，单/双(±):2.7V ~ 10V
• 电压 - 输入补偿（最大值）:15mV @ 5V
• 电流 - 输入偏置（最大值）:300pA @ 5V
• 电流 - 输出（典型值）:-
• 电流 - 静态（最大值）:16A
• CMRR，PSRR（典型值）:70dB CMRR
• 传播延迟（最大值）:2s
• 滞后:-
• 工作温度:-40°C ~ 85°C
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
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TS861IDT是ST意法半导体生产的一款通用型、微功耗轨到轨输入/输出比较器，采用BiCMOS工艺和8-SOIC表面贴装封装。该器件在2.7V至10V的宽电源电压范围内工作，静态电流最大值仅为16A，实现了极低的功耗，非常适合电池供电应用。

其核心优势在于高精度与良好的抗干扰能力：输入失调电压最大值为15mV，输入偏置电流最大值为300pA，确保了精确的阈值比较；同时提供70dB的共模抑制比。器件具备轨到轨的输入与推挽式输出能力，传播延迟小于2s，工作温度范围为-40°C至85°C，为工业控制、便携设备及电源管理中的电压监测与信号比较任务提供了可靠的解决方案。