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ULN2075B

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
原厂封装:封装:16-PowerDIP(20x7.10)
优势价格,ULN2075B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ULN2075B的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ULN2075B是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高可靠性、多通道达林顿晶体管阵列芯片,采用经典的16引脚PowerDIP封装,专为驱动各类感性负载而设计。该器件集成了四个独立的NPN达林顿对管,每个通道均内置了续流二极管,可直接与标准逻辑电平接口,为继电器、步进电机、螺线管、指示灯以及小型直流电机等负载提供高效的开关控制解决方案。其坚固的架构使其成为工业控制、汽车电子和消费类电子产品中驱动电路的理想选择。

该芯片的核心在于其集成的达林顿晶体管结构。每个通道均由两个双极型晶体管以达林顿方式连接,这种配置提供了极高的电流增益,使得微控制器或逻辑电路仅需提供微安级的基极驱动电流,即可控制高达1.75安培的负载电流。每个达林顿对管都集成了共阴极的续流二极管,这对于安全、高效地关断感性负载至关重要,它能有效抑制在关断瞬间由负载电感产生的反向电动势,从而保护芯片本身以及上游的控制电路免受电压尖峰的损害。这种内置的保护机制极大地简化了外围电路设计,提升了系统的整体可靠性。

在电气性能方面,ULN2075B展现出强大的驱动能力与良好的电气特性。其集电极-发射极击穿电压高达80V,为驱动较高电压的负载提供了充足的裕量。在典型工作条件下(基极电流2.25mA,集电极电流1.5A),其饱和压降最大值为1.5V,这意味着在导通状态下的功率损耗较低,有助于提升能效并减少芯片发热。芯片的总功耗为1W,工作温度范围为-20°C至85°C,确保了其在宽温环境下的稳定运行。其通孔安装的16-PowerDIP封装具有良好的机械强度和散热性能,便于在各类PCB板上进行焊接和安装。

凭借其多通道、高驱动电流和内置保护的特点,ULN2075B广泛应用于需要多路负载控制的场景。在自动化设备中,它常用于驱动多路继电器以控制交流负载;在打印机和扫描仪等办公设备中,用于驱动步进电机和打印头电磁铁;在汽车电子领域,可用于控制车窗升降、雨刷电机或各类指示灯。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购,以确保获得正品器件和完整的供应链服务。这款经典的晶体管阵列以其久经考验的可靠性和设计便利性,持续为工程师提供高效、经济的负载驱动方案。

  • 型号:ULN2075B
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:16-PowerDIP(20x7.10)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:4 NPN 达林顿(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.75A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):80V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 2.25mA,1.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
  • 功率 - 最大值:1W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:16-PowerDIP(0.300,7.62mm)
  • 供应商器件封装:16-PowerDIP(20x7.10)
  • 想获取ULN2075B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ULN2075B是ST意法半导体生产的一款有源、四通道NPN达林顿晶体管阵列,采用16引脚PowerDIP通孔封装。该器件集成了四个独立的高增益达林顿对,每个通道均内置续流二极管,专为简化接口电路和驱动感性负载而优化。

其核心电气参数提供了强大的驱动能力:集电极电流最高可达1.75A,集射极击穿电压为80V,饱和压降在1.5A电流下典型值仅为1.5V。这些特性使其能够直接由逻辑电平(如5V TTL/CMOS)控制,高效开关继电器、螺线管、直流电机及LED显示阵列等负载,最大程度减少外部元件数量。芯片额定功耗为1W,工作温度范围覆盖-20°C至85°C,确保了在工业及消费类应用环境中的稳定性和耐用性。

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