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ULQ2003A

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16DIP
原厂封装:封装:16-DIP
优势价格,ULQ2003A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ULQ2003A的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ULQ2003A是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高可靠性、高电流增益的七通道达林顿晶体管阵列芯片。该器件采用成熟的NPN达林顿对架构,每个通道由两个级联的NPN晶体管构成,这种结构使其能够以极小的输入基极电流驱动较大的负载电流。其内部集成了七个相互独立的达林顿通道,并集成了用于感性负载续流的钳位二极管,为驱动继电器、步进电机、指示灯等感性或阻性负载提供了高度集成的解决方案。芯片采用标准的16引脚双列直插式封装,便于在通孔印刷电路板上进行安装和焊接。

该芯片的核心优势在于其卓越的驱动能力和简化的外围电路设计。每个通道的集电极连续输出电流最高可达500mA,集电极-发射极击穿电压高达50V,足以应对广泛的工业与汽车应用电压环境。其达林顿结构带来了极高的直流电流增益,在典型工作条件下(Ic=350mA, Vce=2V)最小值可达1000,这意味着仅需微安级的输入电流即可有效控制通道的导通,极大地减轻了前级微控制器或逻辑电路的驱动负担。此外,每个输出级都集成了一个与线圈并联的续流二极管,用于在关断瞬间吸收感性负载产生的反向电动势,保护芯片及周边电路免受电压尖峰冲击,这一集成设计显著提升了系统的可靠性和稳定性,并减少了外部元器件的数量。

在电气参数方面,ULQ2003A在饱和压降方面表现出色,当基极驱动电流为500A、集电极电流为350mA时,其集电极-发射极饱和压降最大值仅为1.6V,较低的导通压降有助于减少芯片自身的功率损耗和发热。其接口设计简洁明了,输入侧兼容TTL和5V CMOS逻辑电平,可直接与常见的微处理器GPIO口连接;输出侧为开集电极形式,提供了灵活的负载连接方式和电平转换能力。该器件结温最高可承受150°C,确保了其在恶劣温度环境下的稳定运行。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

凭借其高集成度、强驱动能力和内置保护功能,ULQ2003A非常适合应用于需要多路中功率开关控制的场合。典型应用包括工业自动化控制系统中的继电器组、电磁阀、小型直流电机的驱动;汽车电子中的灯组、风扇、泵的驱动模块;办公自动化设备如打印机、复印机的步进电机驱动;以及各类消费电子产品的指示器或报警器驱动。它为设计工程师提供了一种经过市场长期验证的、经济高效且可靠的负载驱动方案。

  • 型号:ULQ2003A
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:16-DIP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:TRANS 7NPN DARL 50V 500MA 16DIP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:7 NPN 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 500A,350mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V
  • 功率 - 最大值:-
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:16-DIP(0.300,7.62mm)
  • 供应商器件封装:16-DIP
  • 想获取ULQ2003A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ULQ2003A是ST意法半导体生产的一款七通道NPN达林顿晶体管阵列,采用16引脚DIP通孔封装。该器件集成了七个独立的高增益达林顿对,每个通道可提供高达500mA的集电极输出电流和50V的集电极-发射极击穿电压,其极高的直流电流增益(最小值1000)使其能够被微控制器GPIO口输出的微小电流直接驱动。

芯片内部集成了用于抑制感性负载反电动势的续流二极管,显著简化了外围保护电路设计,提升了系统在驱动继电器、螺线管、步进电机线圈等感性负载时的可靠性。其较低的饱和压降有助于减少导通损耗,而高达150°C的结温规格则确保了其在宽温度范围内的稳定工作,是一款广泛应用于工业控制、汽车电子和办公自动化设备中的经典负载驱动解决方案。

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