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USB6B1的图片

USB6B1

ST图标
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 5.25VWM 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,USB6B1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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USB6B1的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

USB6B1是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款专为USB端口和其他低压数据线路设计的瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列。该器件采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装,旨在为敏感的电子设备提供高效、可靠的静电放电(ESD)和电气快速瞬变(EFT)保护,确保其在恶劣电气环境下的稳定运行和数据完整性。

该芯片的核心架构基于轨至轨(Rail-to-Rail)转向装置设计,集成了两个独立的单向保护通道。这种架构允许它对正负两个方向的瞬态过压事件进行有效箝位,将威胁性的电压尖峰限制在安全范围内,从而保护下游的集成电路免受损坏。其典型反向断态电压为5.25V,最小击穿电压为6V,非常适合保护工作电压为5V的USB数据线(D+和D-)以及其他类似的低压信号线路。

在功能特点上,USB6B1具备出色的瞬态能量吸收能力,其峰值脉冲功率高达500W,能够有效耗散由ESD或浪涌事件产生的高能量。作为一款电源线路保护器件,它响应速度极快,能够在纳秒级时间内动作,确保在过压瞬态到达受保护芯片之前就将其抑制。其工作温度范围覆盖工业级的-40°C至85°C,保证了在各种环境条件下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购咨询。

在接口与关键参数方面,该器件采用表面贴装技术(SMT),封装为8-SOIC,宽度为3.90mm,便于在空间受限的PCB板上进行高密度布局。其设计主要针对通用型应用,尤其适用于需要符合IEC 61000-4-2(ESD)、IEC 61000-4-4(EFT)等电磁兼容性(EMC)标准的场合。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和经过验证的性能使其在存量市场和特定设计中仍具有参考价值。

典型的应用场景包括各类USB主机和设备端口,如个人电脑、笔记本电脑、平板电脑、移动硬盘、数码相机以及各种采用USB接口进行通信或充电的消费电子产品。此外,它也可用于保护其他易受瞬态电压冲击的低压数据总线、音频/视频接口和通用I/O线路,是提升系统鲁棒性和可靠性的关键外围保护元件。

  • 型号:USB6B1
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 5.25VWM 8SOIC
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 类型:转向装置(轨至轨)
  • 单向通道:2
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):5.25V
  • 电压 - 击穿(最小值):6V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):-
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
  • 功率 - 峰值脉冲:500W
  • 电源线路保护:是
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取USB6B1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

USB6B1是ST意法半导体生产的一款TVS二极管阵列,专为USB等低压数据线路的瞬态电压保护而设计。该器件采用8-SOIC表面贴装封装,集成了两个单向保护通道,采用轨至轨架构,可对正负电压尖峰进行有效箝位。

其核心参数包括5.25V的典型工作电压、6V的最小击穿电压以及高达500W的峰值脉冲功率,能够强力吸收ESD和浪涌能量。该芯片工作温度范围为-40°C至85°C,适用于需要满足严格电磁兼容性标准的通用型电子设备,为敏感接口提供可靠保护。

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