USBULC6-2N4

作为一款专为高速数据接口设计的保护器件，USBULC6-2N4采用了先进的硅基TVS（瞬态电压抑制）二极管阵列架构。该器件集成了三个独立的单向保护通道，每个通道均基于优化的齐纳二极管技术构建，能够为多路信号线提供精确且快速的过压保护。其核心设计理念是在极小的物理封装内实现高性能的箝位功能，通过将保护元件高度集成，有效减少了PCB板上的占用空间，同时确保了信号完整性。

该芯片的功能特点突出体现在其卓越的静电放电（ESD）和电气快速瞬变（EFT）防护能力上。其反向断态电压典型值为3V，击穿电压最小值为6V，能够在承受高达4A的峰值脉冲电流（10/1000s波形）时，将箝位电压有效控制在10V以下，从而可靠地保护下游敏感电路免受浪涌电压的损害。极低的线路电容是其另一关键特性，在3GHz频率下电容值仅为0.75pF，这使得它非常适合用于USB 2.0 High-Speed、USB 3.0乃至更高速率的差分数据线（如D+、D-）保护，而不会对高速信号的眼图质量和信号完整性造成显著劣化。

在接口与参数方面，USBULC6-2N4采用紧凑的表面贴装型4-UFDFN封装，便于自动化生产并节省板面积。其工作结温范围宽广，从-40°C到150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。作为一款通用型电源线路保护器件，它提供了标准化的防护方案。用户可以通过正规的ST授权代理渠道获取该产品的技术支持和供应信息，以确保所获器件的原厂品质与可靠性。

鉴于其优异的性能组合，该芯片广泛应用于各类需要高可靠性接口保护的消费电子和工业设备中。典型应用场景包括但不限于智能手机、平板电脑、数码相机、便携式媒体播放器的USB端口保护，以及机顶盒、路由器、工业控制模块等设备的数据接口防护。它为设计工程师提供了一种经过验证的、高效的解决方案，以应对日常使用中可能遇到的静电放电和电压瞬变威胁，从而提升终端产品的耐用性和市场竞争力。

• 制造商产品型号：USBULC6-2N4
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：TVS DIODE 3V 10V 4UQFN
• 系列：TVS - 二极管
• 产品系列：USB
• 零件状态：停产
• 类型：齐纳
• 单向通道：3
• 双向通道：-
• 电压-反向断态（典型值）：3V
• 电压-击穿（最小值）：6V
• 不同Ipp时电压-箝位（最大值）：10V
• 电流-峰值脉冲(10/1000s)：4A
• 功率-峰值脉冲：50W
• 电源线路保护：是
• 应用：通用
• 不同频率时电容：0.75pF @ 3GHz
• 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：4-UFDFN
• 想获取USBULC6-2N4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

USBULC6-2N4是ST意法半导体推出的一款TVS二极管阵列，专为保护高速数据接口（如USB）而优化。该器件采用3通道单向齐纳结构，提供精确的过压箝位，其核心优势在于极低的线路电容（0.75pF @ 3GHz）和紧凑的4-UFDFN封装，确保了对高速信号完整性的最小影响。

该器件具备3V的反向断态电压和6V的最小击穿电压，在承受4A的峰值脉冲电流时，能将电压箝位在10V以下，提供有效的ESD和浪涌防护。其宽工作温度范围（-40°C ~ 150°C TJ）和50W的峰值脉冲功率处理能力，使其成为通用电源线路保护的可靠选择。