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VNB10N07-E的图片

VNB10N07-E

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
原厂封装:封装:D2PAK
优势价格,VNB10N07-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VNB10N07-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VNB10N07-E是意法半导体(STMicroelectronics)推出的OMNIFET系列智能功率开关产品,隶属于其成熟的VIPower技术平台。该器件采用先进的单片集成技术,将一颗N沟道功率MOSFET、其栅极驱动电路以及全面的保护功能模块集成在一个紧凑的D2PAK封装内。这种架构消除了对外部栅极驱动和保护电路的需求,显著简化了系统设计,提高了整体可靠性。其核心是一个优化的垂直功率结构,旨在实现极低的导通电阻高效的开关性能的平衡。

作为一款单通道低边开关,VNB10N07-E设计用于直接由逻辑电平信号控制,接口为简单的开/关模式,输入为非反相,便于与微控制器或数字逻辑电路直接连接。其关键电气参数定义了强大的驱动能力:最大负载电压高达55V,可持续输出高达7A的电流,而典型导通电阻仅为100毫欧,这确保了在驱动如继电器、螺线管、白炽灯或小型直流电机等负载时,能够最大限度地降低导通损耗和温升,提升能效。值得注意的是,该器件无需独立的VCC或VDD供电引脚,其内部电路由负载电源通过自举方式供电,进一步简化了外围电路。

该产品的核心价值在于其内置的、无需外部元件即可工作的多重故障保护机制。它集成了固定阈值的限流保护,可有效应对负载短路或过载情况;过压钳位保护能够抑制负载电感关断时产生的反电动势,保护开关管免受电压尖峰冲击;同时,芯片内部集成的温度传感器会在结温超过安全阈值时触发热关断,防止器件因过热而损坏。这些保护功能都是自动且自恢复的(在故障条件移除后),极大地增强了应用系统的鲁棒性和安全性。对于需要可靠、紧凑解决方案的设计工程师而言,通过正规的ST代理商获取此产品,是确保供应链稳定和产品原装正品的重要途径。

凭借其高集成度、易用性和坚固性,VNB10N07-E非常适合于汽车电子和工业控制领域的各类阻性、感性和容性负载切换应用。在汽车车身控制模块中,它可用于驱动车窗升降器、座椅调节电机、照明单元;在工业自动化场景中,则是控制电磁阀、小型执行器或加热元件的理想选择。其表面贴装型D2PAK封装提供了良好的功率耗散能力,适合在空间受限且对散热有要求的PCB布局中使用。

  • 型号:VNB10N07-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:低端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:55V(最大)
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):14A
  • 导通电阻(典型值):100 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:-
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:D2PAK
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 想获取VNB10N07-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNB10N07-E是ST意法半导体基于VIPower技术制造的一款高度集成的智能功率开关,属于OMNIFET产品系列。该器件采用D2PAK封装,集成了一个N沟道功率MOSFET及其驱动控制电路,构成一个完整的单通道、低边配置的负载开关解决方案。

其核心性能参数包括55V的最大负载电压和7A的持续输出电流能力,配合典型值仅100毫欧的低导通电阻,确保了高效的功率传输和最小的导通损耗。器件通过简单的开/关逻辑电平接口控制,无需独立供电,极大简化了系统设计。内置的固定限流、过压钳位和热关断保护功能,为驱动电机、螺线管、灯负载等应用提供了高可靠性的保障。

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