VNB35NV04TR-E

意法半导体（STMicroelectronics）推出的VNB35NV04TR-E是一款基于先进VIPower M0-9技术的单片智能功率开关，属于OMNIFET II系列产品。该芯片采用单芯片设计，将功率N沟道垂直MOSFET与全面的保护及控制电路集成于一体，无需外部VCC供电，简化了系统设计。其核心架构实现了对负载的直接驱动，通过一个简单的开/关逻辑输入信号即可控制高达30A的负载电流，特别适用于需要高可靠性和紧凑布局的应用。

该器件具备多项突出的功能特点。其导通电阻典型值低至13毫欧，能有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。芯片内置了完善的故障保护机制，包括固定阈值的限流保护、过温关断以及过压钳位，确保了在异常工况下的系统安全与器件本身的耐用性。其输入接口为非反相逻辑，兼容常见的微控制器GPIO电平，便于直接驱动。作为一款表面贴装器件，采用D2PAK封装，提供了优良的散热性能，能够适应-40°C至150°C的宽结温工作范围。

在电气参数方面，VNB35NV04TR-E设计用于驱动最高36V的负载，输出配置为低端开关，适用于接地负载的控制。其“比率-输入:输出”为1:1，意味着输出状态严格跟随输入逻辑。这种高集成度的设计省去了传统方案中所需的栅极驱动电路和外部保护元件，不仅节省了PCB空间和物料成本，也提高了系统的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购，以保障产品来源的正规性与后续服务的完整性。

凭借其高电流能力、低导通损耗和内置保护，VNB35NV04TR-E非常适合于汽车电子、工业控制等领域的电阻性、感性和容性负载驱动。典型应用包括汽车车身控制模块中的灯组驱动、电机控制、电磁阀驱动，以及工业自动化中的继电器替代和电源分配开关。其稳健的设计使其能够承受汽车环境中严苛的负载突降和瞬态电压冲击，是构建高可靠性功率开关系统的优选解决方案。

• 型号:VNB35NV04TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
• 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 开关类型:通用
• 输出数:1
• 比率 - 输入:1：1
• 输出配置:低端
• 输出类型:N 通道
• 接口:开/关
• 电压 - 负载:36V（最大）
• 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
• 电流 - 输出（最大值）:30A
• 导通电阻（典型值）:13 毫欧（最大）
• 输入类型:非反相
• 特性:-
• 故障保护:限流（固定），超温，过压
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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VNB35NV04TR-E是ST意法半导体OMNIFET II系列中的一款单片智能高端开关。该器件集成了一个功率N沟道MOSFET及其驱动控制电路，采用低端输出配置，可通过简单的开/关接口直接控制，最大负载电压36V，持续输出电流能力高达30A。

其核心优势在于极高的集成度与可靠性。典型导通电阻仅为13毫欧，能显著降低导通损耗。芯片内部集成了固定限流、过温关断和过压保护功能，无需外部VCC供电，简化了系统设计并增强了鲁棒性。该器件采用D2PAK封装，工作结温范围-40°C至150°C，适用于要求严苛的汽车和工业应用环境。