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VND10BSPTR-E

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
原厂封装:封装:10-PowerSO
优势价格,VND10BSPTR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VND10BSPTR-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ST意法半导体推出的VND10BSPTR-E是一款采用PowerSO-10封装的双通道高端智能功率开关,专为汽车及工业环境中的阻性、感性和容性负载驱动而设计。其核心架构基于两个独立的N沟道功率MOSFET,采用单片集成技术,将功率开关、控制逻辑与完备的保护电路整合于单一芯片。这种高度集成化的设计不仅提升了系统可靠性,还显著节省了PCB空间,简化了外围电路。芯片内部集成了电荷泵,用于驱动高端N-MOSFET,因此无需外部提供栅极驱动电压,仅通过逻辑电平信号即可直接控制6V至26V范围内的负载通断,极大简化了系统设计。

该器件具备多项关键功能特性以应对严苛应用环境。其最大持续输出电流能力为3.4A,典型导通电阻低至100毫欧(最大值),有效降低了功率损耗和温升,提升了整体能效。输入接口采用非反相逻辑,兼容微控制器GPIO直接驱动,提供开/关控制模式,操作直观简便。尤为重要的是,VND10BSPTR-E集成了全面的诊断与保护功能,包括开路负载检测(在开关开启和关闭状态下均可工作)以及精确的结温超温关断保护。此外,芯片还提供了一个状态标志(ST)输出引脚,能够实时反馈故障条件(如过温或开路),便于主控系统进行实时监控和故障处理,增强了系统的可维护性与安全性。

在电气参数方面,该芯片设计稳健,工作结温范围宽达-40°C至150°C,适用于温度变化剧烈的场合。其负载电压范围覆盖6V至26V,使其完美适配12V和24V车载电池系统。作为一款已宣布停产的器件,其在存量市场或特定延续项目中仍有应用价值,用户可通过正规的ST一级代理渠道获取原装正品,以确保供应链的可靠性与产品质量的一致性。其表面贴装的PowerSO-10封装具有良好的热性能,便于自动化生产。

VND10BSPTR-E典型的应用场景集中于需要高可靠性和智能保护的领域。在汽车电子中,它常用于驱动车身控制模块(BCM)内的负载,如车窗升降器、座椅调节电机、加热器、风扇及各类灯具。在工业自动化领域,它可用于控制小型继电器、电磁阀、执行器或PLC的输出模块。其强大的保护特性使其能够安全地管理电机、灯丝等具有高浪涌电流的感性负载,防止因短路、过载或过热导致的系统损坏,是构建稳健电源分配系统的关键组件。

  • 型号:VND10BSPTR-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:10-PowerSO
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:2
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:高端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:6V ~ 26V
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):3.4A
  • 导通电阻(典型值):100 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:状态标志
  • 故障保护:开路负载检测,超温
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:10-PowerSO
  • 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
  • 想获取VND10BSPTR-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VND10BSPTR-E是STMicroelectronics推出的一款双通道高端智能功率开关,采用PowerSO-10封装。该器件集成了两个独立的N沟道功率MOSFET,设计用于直接驱动6V至26V电压范围内的各类负载,最大持续输出电流达3.4A,并凭借低至100毫欧(最大)的导通电阻实现高效功率切换。

其核心优势在于高度的集成化与完备的保护机制。芯片内置电荷泵,无需外部Vcc供电即可驱动高端开关,简化了设计。同时,它提供了开路负载检测和超温关断等关键故障保护功能,并配备状态标志引脚用于实时诊断反馈,极大增强了系统在汽车或工业环境中的可靠性与安全性。

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