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VND5050JTR-E

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO12
原厂封装:封装:PowerSSO-12
优势价格,VND5050JTR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VND5050JTR-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VND5050JTR-E是ST意法半导体基于其先进的VIPower技术平台开发的一款双通道、高端智能功率开关。该器件采用单片结构,将两个独立的N沟道功率MOSFET与精密的控制逻辑和保护电路集成在单一芯片上,实现了高功率密度与高可靠性的结合。其核心架构消除了对外部Vcc/Vdd电源的需求,简化了系统设计,同时通过内置的电荷泵确保了在低至4.5V的电池电压下,MOSFET也能实现完全增强型导通,提供极低的导通压降。

该芯片的功能设计充分考虑了汽车电子和工业控制应用的严苛要求。其导通电阻典型值低至50毫欧,最大持续输出电流能力高达12A,能够高效驱动如继电器、灯泡、电机等各类感性、阻性或容性负载,显著降低功率损耗和热耗散。控制接口采用简单的开/关逻辑电平输入,兼容3.3V和5V微控制器,便于实现直接驱动。此外,器件集成了全面的诊断与保护功能,包括固定阈值的限流保护、开路负载检测(在开和关状态下均可工作)、超温关断以及过压钳位。当故障发生时,芯片会进入自动重启模式或锁存关断(取决于故障类型),并通过专用的状态标志引脚向主控制器报告异常,极大地增强了系统的鲁棒性和可维护性。对于需要可靠供应链的客户,可以通过ST授权代理获取正品器件和技术支持。

在电气参数方面,VND5050JTR-E支持宽范围的负载工作电压,从4.5V直至36V,完全覆盖了12V和24V车辆电气系统的需求,其工作结温范围宽达-40°C至150°C。器件采用节省空间的PowerSSO-12封装,该封装具有裸露的散热焊盘,能有效将芯片产生的热量传导至PCB,提升整体散热性能,确保在高温环境下稳定工作。这种表面贴装型封装也适合自动化生产,其卷带(TR)包装形式便于流水线贴装。

得益于其高集成度、强健的保护机制和宽泛的工作条件,VND5050JTR-E非常适用于对安全性和可靠性要求极高的场景。典型应用包括汽车车身控制模块,用于驱动前照灯、雾灯、座椅加热器、风扇及门窗电机等;在工业自动化领域,则可作为PLC的数字输出模块,可靠地控制阀门、电磁铁和小型电机。它为解决复杂的多通道负载驱动和电路保护问题提供了一个高度集成、易于使用的单芯片解决方案。

  • 型号:VND5050JTR-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:PowerSSO-12
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO12
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 开关类型:通用
  • 输出数:2
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:高端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:4.5V ~ 36V
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):12A
  • 导通电阻(典型值):50 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:自动重启,状态标志
  • 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PowerSSO-12
  • 封装/外壳:12-PowerLSOP(0.154\\
  • 想获取VND5050JTR-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VND5050JTR-E是ST意法半导体推出的一款双通道高端智能功率开关,隶属于VIPower产品系列。该器件集成了两个独立的N沟道功率MOSFET,无需外部Vcc电源,设计简洁。其核心优势在于高达12A的持续输出电流能力和低至50毫欧的典型导通电阻,能够高效驱动大电流负载。

器件工作电压范围宽达4.5V至36V,结温范围覆盖-40°C至150°C,满足汽车及工业环境的苛刻要求。它提供了开/关控制接口,并内置了全面的故障保护功能,包括固定限流、开路负载检测、过温和过压保护,同时通过状态标志引脚实现实时诊断反馈。这些特性使其成为驱动灯具、电机、继电器等负载的理想选择。

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