VND5N07-E

作为ST意法半导体OMNIFET II系列的一员，VND5N07-E是一款基于VIPower技术构建的智能单通道N沟道功率MOSFET驱动器。该芯片采用先进的单片结构，将功率开关、控制逻辑和保护电路高度集成于单一硅片之上，实现了紧凑的DPAK封装。其核心架构省去了传统驱动方案所需的外部供电（Vcc/Vdd），简化了系统设计，同时通过内部电荷泵确保了栅极驱动的可靠性，使功率开关能够在低至标准逻辑电平的输入信号下高效导通。

该器件专为低端开关应用而设计，具备高达55V的负载电压承受能力和3.5A的持续输出电流能力。其导通电阻典型值低至200毫欧，这直接转化为较低的传导损耗和更高的系统效率。输入接口采用非反相的开/关逻辑控制，兼容常见的微控制器GPIO电平，便于直接驱动。全面的内置保护功能是其突出特点，包括固定阈值的限流保护，可防止输出短路或过载对电路造成损害；过温关断功能在结温超过安全阈值时自动禁用输出，确保芯片在恶劣环境下工作的鲁棒性；此外，集成的过压钳位电路为负载端的电压瞬变提供了有效防护。

在电气参数方面，VND5N07-E工作结温范围宽达-40°C至150°C，适用于要求严苛的工业与汽车环境。其表面贴装型DPAK封装具有良好的功率耗散能力。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取该产品及相关设计资源。这些技术特性使其成为需要可靠、高效功率切换方案的理想选择。

凭借其高集成度、强健的保护机制和简化的驱动需求，该芯片广泛应用于汽车车身控制模块，如驱动座椅加热器、车窗升降电机、LED照明驱动等阻性、感性和容性负载。在工业自动化领域，它常用于PLC输出模块、小型继电器或电磁阀的驱动。此外，在电源管理系统中，它也适用于需要智能配电和负载点开关的场合，为工程师提供了一种将控制逻辑与功率路径无缝集成的解决方案。

• 型号:VND5N07-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
• 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 开关类型:通用
• 输出数:1
• 比率 - 输入:1：1
• 输出配置:低端
• 输出类型:N 通道
• 接口:开/关
• 电压 - 负载:55V（最大）
• 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
• 电流 - 输出（最大值）:3.5A
• 导通电阻（典型值）:200 毫欧（最大）
• 输入类型:非反相
• 特性:-
• 故障保护:限流（固定），超温，过压
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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VND5N07-E是ST意法半导体推出的一款单通道智能功率开关，隶属于OMNIFET II系列并采用VIPower技术。该器件集成了一个N沟道功率MOSFET及其驱动控制电路，采用低端输出配置，设计用于直接由逻辑电平信号控制，无需外部供电电压（Vcc/Vdd），极大简化了外围电路。

其核心优势在于高达55V的负载电压和3.5A的持续电流输出能力，配合低至200毫欧的典型导通电阻，确保了高效的电能传输。器件内置了多重故障保护机制，包括固定限流、过温关断和过压保护，提供了高可靠性的负载驱动解决方案。宽泛的工作温度范围（-40°C至150°C TJ）和DPAK表面贴装封装，使其能够稳定应对汽车与工业领域的严苛环境挑战。