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VND830ASP-E的图片

VND830ASP-E

ST图标
电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR SSR HI SIDE N-CH PWRSO10
原厂封装:供应商器件封装:10-PowerSO
优势价格,VND830ASP-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VND830ASP-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VND830ASP-E是意法半导体(STMicroelectronics)基于其成熟的VIPower技术平台开发的一款双通道高端智能功率开关。该器件采用先进的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺制造,将两个独立的N沟道功率MOSFET、其栅极驱动电路以及全面的保护与控制逻辑集成在单一封装内。这种高度集成的架构不仅显著减少了外部元件数量,简化了PCB布局,还通过内置的智能功能提升了系统的可靠性与鲁棒性,使其成为需要高边驱动和智能保护的紧凑型应用的理想选择。

该芯片的核心功能在于其强大的驱动与保护能力。每个通道均能独立控制,提供高达6A的连续输出电流,并具备极低的导通电阻(典型值60毫欧),这直接转化为更低的功率损耗和更高的系统效率。其输入接口采用非反相逻辑,与微控制器GPIO口兼容,通过简单的开/关信号即可实现精准的负载控制。更为关键的是,器件集成了多重故障保护机制,包括固定阈值的限流保护过温关断以及过压钳位。当检测到异常情况时,芯片会自主采取保护动作,并通过专用的诊断引脚(如可用)或状态反馈向主控制器报告,实现了主动的系统健康管理。

在电气参数方面,VND830ASP-E设计用于直接驱动工作电压范围在5.5V至36V之间的负载,覆盖了从单节锂电池到汽车蓄电池的广泛电源场景。它无需独立的逻辑电源(Vcc/Vdd),进一步简化了供电设计。其坚固的设计支持-40°C至150°C的宽结温范围,确保了在恶劣环境下的稳定运行。器件采用节省空间的10-PowerSO表面贴装封装,适合自动化生产。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借其高集成度、高可靠性和易用性,这款智能功率开关广泛应用于汽车电子领域,如驱动车身控制模块(BCM)中的灯泡、电机、继电器、加热器等负载,也适用于工业自动化中的电磁阀、小型电机控制,以及通用电源分配系统。它能够有效替代分立方案或机械继电器,提供更快速、更安静且寿命更长的固态开关解决方案,是工程师设计下一代高效、紧凑型功率控制系统的重要基石。

  • 制造商产品型号:VND830ASP-E
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC PWR SSR HI SIDE N-CH PWRSO10
  • 产品系列:电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
  • 包装:管件
  • 系列:VIPower
  • 零件状态:有源
  • 开关类型:通用
  • 输出数:2
  • 比率-输入:输出:1:1
  • 输出配置:高端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压-负载:5.5V ~ 36V
  • 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要
  • 电流-输出(最大值):6A
  • 导通电阻(典型值):60 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:-
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:10-PowerSO
  • 想获取VND830ASP-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VND830ASP-E是ST意法半导体推出的一款双通道高端智能功率开关,属于VIPower产品系列。该器件采用PowerSO10封装,集成了两个独立的N通道功率输出级,每通道可提供高达6A的连续负载电流,并具备仅60毫欧(最大)的低导通电阻,有效降低了导通损耗。

其工作电压范围覆盖5.5V至36V,可直接由微控制器的GPIO口通过开/关信号控制,无需额外逻辑电源。器件内置了全面的故障保护功能,包括固定限流、过温关断和过压保护,确保了在-40°C至150°C结温范围内的鲁棒性和系统安全性,适用于要求高可靠性的汽车与工业负载驱动场景。

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