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VND830E-E的图片

VND830E-E

ST图标
电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 16SO
原厂封装:供应商器件封装:16-SO
优势价格,VND830E-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VND830E-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

意法半导体(STMicroelectronics)推出的VND830E-E是一款基于先进VIPower技术的高集成度双通道智能高端驱动器。该芯片采用单芯片设计,将两个独立的N沟道功率MOSFET及其完整的控制与保护电路集成在一个紧凑的16-SO封装内,实现了高功率密度与高可靠性的结合。其核心架构省去了外部Vcc/Vdd供电需求,简化了系统设计,通过单一逻辑电平输入即可直接控制从5.5V至36V宽范围负载的通断,特别适合由电池或不稳定电源直接供电的应用环境。

在功能表现上,VND830E-E具备出色的驱动能力,每个通道可提供高达9.5A的持续输出电流,而其导通电阻典型值低至65毫欧,这有效降低了功率损耗和芯片温升,提升了整体能效。芯片集成了全面的诊断与保护功能,是其核心优势之一。它提供了包括固定阈值限流、过温关断、过压钳位以及开路负载检测在内的多重故障保护机制。其中,带有自动重启功能的限流保护在检测到过载或短路后,会周期性地尝试重启输出,直至故障消除,这为许多需要高鲁棒性的应用提供了安全保障。用户可以通过其非反相的开/关接口进行简易控制,同时其诊断引脚能实时反馈输出状态与故障信息,便于系统监控。

从接口与电气参数来看,该器件设计极为精简。其输入兼容3.3V和5V逻辑电平,输出配置为高端开关,可直接驱动接地负载。工作结温范围宽达-40°C至150°C,确保了在严苛工业与汽车环境下的稳定运行。对于需要可靠电源路径管理的设计,通过正规的ST代理商获取此器件,能确保其原厂品质与完整的VIPower技术特性支持。其表面贴装型16-SO封装也符合现代自动化生产的要求。

基于其高电流能力、宽电压范围与内置保护,VND830E-E非常适合应用于需要智能功率分配和保护的领域。典型场景包括汽车车身控制模块中的驱动负载,如车窗升降器、座椅调节电机、LED照明驱动;工业自动化中的电磁阀、小型电机执行器控制;以及各类配电盒、保险丝替代方案和热插拔电源管理。其高集成度和可靠性使其成为替代分立MOSFET加驱动IC方案的优选,能显著节省PCB空间并提升系统可靠性。

  • 制造商产品型号:VND830E-E
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 16SO
  • 产品系列:电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
  • 包装:管件
  • 系列:VIPower
  • 零件状态:有源
  • 开关类型:通用
  • 输出数:2
  • 比率-输入:输出:1:1
  • 输出配置:高端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压-负载:5.5V ~ 36V
  • 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要
  • 电流-输出(最大值):9.5A
  • 导通电阻(典型值):65 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:带有自动重启功能
  • 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:16-SO
  • 想获取VND830E-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VND830E-E是ST意法半导体VIPower系列中的一款双通道高端智能功率开关。该器件集成了两个独立的N沟道功率MOSFET,每个通道可提供高达9.5A的输出电流,并支持5.5V至36V的宽负载电压范围,无需外部Vcc供电,极大简化了系统设计。

其核心价值在于卓越的功率处理能力与全面的集成保护。典型导通电阻仅为65毫欧,有效降低了导通损耗。器件内置了固定阈值限流、过温关断、过压钳位及开路负载检测等多重保护功能,其中限流保护具备自动重启特性,增强了系统的鲁棒性。该芯片采用16-SO表面贴装封装,工作结温范围为-40°C至150°C,适用于要求高可靠性的汽车与工业应用环境。

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