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VND92013TR

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 28SO
原厂封装:封装:28-SO
优势价格,VND92013TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VND92013TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VND92013TR是ST意法半导体基于其专有的VIPower技术平台开发的一款双通道、高端智能功率开关。该器件采用单片结构,将两个独立的N沟道垂直功率MOSFET与集成的控制和保护电路共同构建在一个硅片上。这种架构消除了对外部功率MOSFET和续流二极管的需求,显著简化了系统设计,同时通过先进的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺实现了高功率密度与高可靠性的结合。

该器件专为驱动电阻性、感性和容性负载而优化,其核心功能在于提供高效的功率切换。每个通道均能独立控制,支持高达30A的持续输出电流,并且得益于其极低的导通电阻(典型值16毫欧),能够最大限度地减少传导损耗和发热,提升整体能效。其工作电压范围覆盖5.5V至36V,使其能够直接兼容12V和24V的汽车或工业电源系统,而无需额外的稳压电源供电。

在接口与控制方面,VND92013TR采用非反相的开/关逻辑输入,兼容3.3V和5V的微控制器GPIO电平,确保了控制的简便性。其内置的全面诊断与保护功能是其关键优势,包括固定阈值的限流保护、过温关断以及过压钳位。当检测到过载或短路时,器件会进入限流模式,若故障持续,则触发热关断;在故障条件移除后,集成的自动重启功能会尝试恢复操作,这大大增强了系统的鲁棒性和容错能力。用户可以通过ST代理获取详细的应用支持和设计资源。

凭借其坚固的设计和宽工作温度范围(-40°C至150°C结温),该芯片非常适用于要求苛刻的汽车电子环境,如驱动车身控制模块中的继电器、灯泡、电机或加热器等负载。此外,在工业自动化、电源分配单元和智能接线盒等需要可靠、紧凑型负载开关解决方案的领域,它同样表现出色。其表面贴装的28-SO封装形式便于自动化生产,并提供了良好的热性能。

  • 型号:VND92013TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:28-SO
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 28SO
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:2
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:高端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:5.5V ~ 36V
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):30A
  • 导通电阻(典型值):16 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:带有自动重启功能
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:28-SO
  • 封装/外壳:28-SOIC(0.295\\
  • 想获取VND92013TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VND92013TR是ST意法半导体推出的一款双通道高端智能功率开关,隶属于VIPower产品系列。该器件集成了两个独立的功率级,每个通道可提供高达30A的负载驱动能力,其宽泛的5.5V至36V工作电压范围使其能直接适配12V/24V汽车及工业电源总线。

器件的核心优势在于其极低的功率损耗和内置的全面保护机制。其导通电阻典型值仅为16毫欧,有效降低了导通压降和热耗散。同时,它集成了固定限流、过温关断和过压保护功能,并具备故障状态下的自动重启能力,确保了在驱动感性或阻性负载时的高可靠性和系统安全性。

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