VNH7013XPTR-E

VNH7013XPTR-E是意法半导体（STMicroelectronics）推出的VIPower系列高集成度电机驱动器。该芯片采用先进的功率MOSFET技术，构建了一个高度集成的半桥驱动架构，将功率开关、控制逻辑和保护电路整合于单一的PowerBFSOP封装内。这种架构设计显著减少了外部元件数量，简化了PCB布局，同时通过优化的热设计确保了在高功率密度应用中的可靠性。

该器件集成了两个独立的半桥，每个通道可提供高达40A的连续输出电流，其低导通电阻特性尤为突出，高边MOSFET典型值为5.7毫欧，低边MOSFET典型值为7.3毫欧，这直接降低了导通损耗，提升了系统整体效率。其工作电压范围宽，最高可支持72V供电，为驱动24V或48V系统的直流电机提供了充足的裕量。全面的逻辑接口使其能够轻松与微控制器连接，实现灵活的控制策略。

在参数方面，VNH7013XPTR-E展现了卓越的鲁棒性，其结温工作范围覆盖-40°C至175°C，适用于严苛的工业与汽车环境。芯片内置了关键的保护功能，其中超温保护（TSD）可防止芯片在过热条件下损坏，增强了系统的长期运行可靠性。其表面贴装的36-PowerBFSOP封装专为高散热效率而优化，有助于将芯片内部产生的热量有效地传导至PCB。用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

基于其强大的驱动能力、高集成度和内置保护，该芯片非常适合用于需要高可靠性和高效率的场合。典型应用包括工业自动化中的直流有刷电机驱动、电动工具、泵类控制以及汽车领域的辅助电机驱动，如风扇、车窗升降器等。其设计充分考虑了电磁兼容性（EMC）和热管理挑战，是工程师构建紧凑、高效电机驱动解决方案的理想选择。

• 型号:VNH7013XPTR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSSO-36 TP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 4N-CH 40A 36PWRSSO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:4 N 沟道（半桥）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:36V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.3 毫欧 @ 5A，10V，5.7 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23nC @ 10V，36nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250pF @ 25V，1836pF @ 25V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:36-PowerBFSOP（0.295，7.50mm 宽）
• 供应商器件封装:PowerSSO-36 TP
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VNH7013XPTR-E是ST意法半导体VIPower系列的一款高集成度半桥电机驱动器IC。该器件采用功率MOSFET技术，集成了两个独立的半桥输出通道，每个通道可提供高达40A的连续输出电流，并具备极低的导通电阻（高边5.7mΩ，低边7.3mΩ），有效提升了驱动效率并减少了热损耗。

其设计支持高达72V的工作电压，并能在-40°C至175°C的宽结温范围内稳定工作，确保了在工业与汽车等恶劣环境下的可靠性。芯片内置逻辑接口和超温保护功能，采用散热优化的36-PowerBFSOP表面贴装封装，为驱动直流电机和通用感性负载提供了一个高度集成、坚固耐用的解决方案。