VNLD5090-E

VNLD5090-E是意法半导体（STMicroelectronics）推出的OMNIFET III系列智能功率开关，采用先进的VIPower技术制造。该器件集成了一个N沟道功率MOSFET及其驱动与保护电路，构成一个完整的单片解决方案，专为驱动电阻性、电感性或容性负载而优化设计。其核心架构将逻辑电平输入、电荷泵、驱动级、功率级以及全面的诊断与保护功能集成于单一的8引脚SO封装内，实现了高集成度与高可靠性。

该器件作为一款双通道低边开关，具备高达36V的负载电压能力和13A的最大输出电流，其导通电阻典型值低至90毫欧，有效降低了导通损耗和热耗散。其工作无需外部VCC电源，简化了系统设计。全面的故障保护机制是其显著特点，集成了固定阈值限流、过温关断、过压钳位以及欠压锁定（UVLO）功能。此外，它还具备开路负载检测和状态标志输出，能够在故障发生时（如过载、短路或过热）自动进入保护状态，并在故障条件解除后尝试自动重启，极大增强了系统的鲁棒性和安全性。

在接口与控制方面，VNLD5090-E采用非反相逻辑输入，通过简单的开/关信号即可控制每个通道的导通与关断，兼容微控制器GPIO接口。其工作结温范围宽达-40°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过ST授权代理获取该产品的详细信息与库存服务。

凭借其高电流驱动能力、低导通电阻和内置的智能保护特性，该芯片非常适合于需要可靠开关和保护的汽车电子与工业应用场景。典型应用包括驱动继电器、电磁阀、灯泡、小型电机等负载，尤其适用于车身控制模块（BCM）、配电单元、工业自动化系统中的执行器驱动等场合，为设计工程师提供了一个高效、紧凑且安全的负载驱动解决方案。

• 型号:VNLD5090-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
• 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 开关类型:通用
• 输出数:2
• 比率 - 输入:1：1
• 输出配置:低端
• 输出类型:N 通道
• 接口:开/关
• 电压 - 负载:36V（最大）
• 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
• 电流 - 输出（最大值）:13A
• 导通电阻（典型值）:90 毫欧（最大）
• 输入类型:非反相
• 特性:自动重启，状态标志
• 故障保护:限流（固定），开路负载检测，超温，过压，UVLO
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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VNLD5090-E是ST意法半导体OMNIFET III系列中的一款双通道智能低边开关，采用VIPower技术，集成功率MOSFET与驱动保护电路于8-SO封装。该器件设计用于直接驱动高达36V、13A的各类负载，其典型导通电阻仅为90毫欧，能显著降低功率损耗。

它无需外部VCC供电，通过简单的开/关接口即可控制。器件集成了全面的故障保护功能，包括固定限流、过温、过压保护和开路负载检测，并具备状态标志和自动重启能力，确保了系统在异常条件下的高可靠性。其宽工作结温范围（-40°C至150°C）使其适用于要求苛刻的汽车与工业环境。