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VNP35NV04

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,VNP35NV04的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VNP35NV04的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ST意法半导体推出的VNP35NV04是一款基于VIPower技术的单通道智能功率开关,属于OMNIFET II系列产品。该器件采用先进的垂直集成工艺,将功率N沟道MOSFET与其驱动、保护和控制电路单片集成于一体,构成了一个高度可靠且易于使用的负载驱动解决方案。这种架构省去了外部驱动电路和独立的电源供应需求,显著简化了系统设计,同时提升了整体可靠性。

作为一款智能高端开关,VNP35NV04的核心功能是通过一个简单的逻辑电平输入信号(开/关接口)直接控制高达30A的负载电流。其典型导通电阻低至13毫欧,最大导通电阻也控制在一个极低的水平,这直接转化为极低的导通损耗和发热,提升了系统能效。器件设计为低端开关配置,输出类型为N通道,输入采用非反相逻辑,便于与微控制器等数字逻辑电路直接接口,无需电平转换。

在电气参数方面,该芯片能够承受最大36V的负载电压,工作结温范围宽达-40°C至150°C,适用于严苛的工业环境。其内置的多重故障保护机制是其关键优势,包括固定阈值的限流保护、过温关断以及过压钳位功能。这些保护功能完全由芯片内部管理,无需外部元件干预,确保了在短路、过载或过热等异常情况下,负载和驱动电路本身都能得到有效保护,极大增强了系统的鲁棒性。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过正规的ST代理进行采购和咨询。

得益于其高集成度、强大的驱动能力与完备的保护特性,VNP35NV04非常适合于需要直接驱动大电流阻性、感性或容性负载的应用场景。典型应用包括汽车领域的继电器、电磁阀、电机预驱动器,以及工业自动化中的螺线管、加热器、灯组驱动等。其通孔TO-220AB封装形式便于安装散热器,应对高功率耗散需求。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计理念和性能指标在同类负载驱动方案中仍具有重要的参考价值。

  • 型号:VNP35NV04
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:低端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:36V(最大)
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):30A
  • 导通电阻(典型值):13 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:-
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 想获取VNP35NV04的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNP35NV04是STMicroelectronics OMNIFET II系列中的一款单通道智能功率开关,采用TO-220AB封装。该器件集成了功率N沟道MOSFET、驱动及保护电路,通过简单的开/关逻辑输入即可控制高达30A的负载电流,最大负载电压36V,无需外部Vcc供电,极大简化了电路设计。

其核心优势在于极低的导通电阻(典型13mΩ)内置的全面故障保护,包括固定限流、过温关断和过压保护。这些特性使其能够在-40°C至150°C的结温范围内,安全可靠地驱动各类大电流负载,如继电器、电磁阀、加热元件等,是汽车与工业控制领域中高可靠性负载驱动的经典解决方案。

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