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VNP49N04-E

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,VNP49N04-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VNP49N04-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VNP49N04-E是ST意法半导体基于其先进的VIPower技术平台开发的一款智能单通道低侧功率开关。该器件采用单片集成设计,将功率MOSFET、驱动逻辑以及全面的保护电路集成于单一芯片,构成了一个高度可靠且易于控制的负载驱动解决方案。其核心是一个优化的N沟道垂直功率MOSFET,通过内部电荷泵和栅极驱动电路确保高效、快速的开关动作,同时其单片结构消除了传统分立方案中寄生参数的影响,提升了系统的稳定性和抗干扰能力。

该器件设计用于直接由逻辑电平信号控制,无需独立的电源电压(Vcc/Vdd),这极大地简化了系统设计。其导通电阻典型值低至20毫欧,在驱动高达30A的持续负载电流时,能有效降低导通损耗和温升。接口采用简单的开/关、非反相输入控制,兼容常见的微控制器GPIO口。此外,芯片集成了多项关键特性,包括状态标志输出,能够向主控制器反馈开关的实时状态,便于实现诊断和智能控制。

在可靠性方面,VNP49N04-E内置了多层级的故障保护机制。它提供了固定阈值的限流保护,防止因短路或过载导致的电流失控;集成的过热关断功能在结温超过安全限值时自动禁用输出,并在冷却后尝试恢复;同时具备过压钳位能力,增强了在感性负载关断等瞬态条件下的 robustness。其最大负载电压为35V,适用于常见的12V或24V车载及工业电源系统。器件采用经典的TO-220AB通孔封装,便于散热器安装和功率耗散。

凭借其高集成度、强大的驱动能力和内置保护,这款芯片非常适合要求高可靠性和空间效率的应用场景。典型应用包括汽车领域的继电器、电磁阀、电机和灯组的直接驱动,工业自动化中的执行器控制,以及电源分配系统中的智能开关。用户可以通过ST中国代理获取相关的技术支持和供应链服务。需要注意的是,该产品目前已处于停产状态,在新设计中选择时需考虑替代方案或库存可用性。

  • 型号:VNP49N04-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:低端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:35V(最大)
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):30A
  • 导通电阻(典型值):20 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:状态标志
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 想获取VNP49N04-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNP49N04-E是ST意法半导体推出的一款集成式智能功率开关,隶属于OMNIFET系列。该器件采用低端N通道输出配置,单片集成了功率MOSFET、驱动及保护电路,提供单通道1:1的开关功能。

其核心优势在于高达30A的输出电流能力和低至20毫欧的典型导通电阻,能显著降低功率损耗。器件设计简洁,无需外部供电电压(Vcc/Vdd),仅通过一个逻辑电平的开/关接口即可控制。它内置了限流、过热和过压保护,并具备状态标志输出功能,增强了系统的可靠性和可诊断性,适用于需要高边或低边开关的严苛环境。

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