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VNQ500N-E的图片

VNQ500N-E

ST图标
电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO12
原厂封装:供应商器件封装:PowerSSO-12
优势价格,VNQ500N-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VNQ500N-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ST意法半导体推出的VNQ500N-E是一款采用PowerSSO-12封装的单片四通道高端驱动器,专为汽车和工业应用中的阻性、感性和容性负载管理而设计。该器件集成了四个独立的N沟道功率MOSFET,采用单一芯片架构,每个通道均具备独立的输入控制,实现了高集成度与紧凑的PCB布局。其设计基于ST的VIPower技术,将逻辑控制电路与功率级高效集成于同一硅片,确保了优异的电气隔离和热性能,同时显著减少了外部元件数量,简化了系统设计。

该驱动器具备多项关键功能特性。其工作电压范围覆盖5.5V至36V,可直接由汽车电池或工业电源总线供电,无需额外的逻辑电源(Vcc/Vdd),简化了供电设计。每个通道均能提供高达400mA的连续输出电流,并且具备极低的导通电阻(典型值500毫欧),这有效降低了功率损耗和芯片温升,提升了系统整体效率与可靠性。内置的故障保护机制是其核心优势之一,包括固定阈值的限流保护和结温过温关断保护,能够在输出短路或过载情况下有效保护芯片和负载,并在故障条件解除后自动恢复工作,增强了系统的鲁棒性。

在接口与控制方面,VNQ500N-E采用非反相、开/关逻辑接口,输入信号与TTL/CMOS电平兼容,便于与微控制器直接连接。其高端输出配置使得负载一端可以直接接地,简化了布线并便于故障诊断。器件工作在-40°C至150°C的宽结温范围内,完全满足汽车电子和严苛工业环境的要求。其表面贴装型PowerSSO-12封装提供了优异的热耗散能力,有助于在高负载条件下维持稳定的性能。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借其高可靠性、集成化保护和宽电压工作范围,VNQ500N-E非常适用于驱动各种负载,典型应用包括汽车车身控制模块中的继电器、灯泡、LED灯组、加热器、小型电机以及电磁阀的驱动。在工业自动化领域,它同样适用于可编程逻辑控制器(PLC)的输出模块、工业继电器的替代以及各种执行器的直接驱动,为设计师提供了一个高效、紧凑且可靠的负载开关解决方案。

  • 制造商产品型号:VNQ500N-E
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO12
  • 产品系列:电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 开关类型:通用
  • 输出数:4
  • 比率-输入:输出:1:1
  • 输出配置:高端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压-负载:5.5V ~ 36V
  • 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要
  • 电流-输出(最大值):400mA
  • 导通电阻(典型值):500 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:-
  • 故障保护:限流(固定),超温
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PowerSSO-12
  • 想获取VNQ500N-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNQ500N-E是ST意法半导体推出的一款单片四通道高端智能功率开关,属于电源管理IC中的配电开关与负载驱动器产品系列。该器件集成了四个独立的N沟道MOSFET,采用先进的VIPower技术,将控制逻辑与功率输出级高度集成。

其核心参数体现了卓越的驱动能力与可靠性:宽达5.5V至36V的负载电压范围使其能直接适应汽车电池及工业电源环境,且无需额外逻辑供电。每个通道可提供高达400mA的输出电流,并凭借最大500毫欧的低导通电阻有效降低功耗。器件内置固定限流与过温关断双重保护,确保在恶劣工况下的安全运行。采用PowerSSO-12表面贴装封装,工作结温范围为-40°C至150°C,完全满足汽车电子及工业应用的严苛要求。

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