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VNQ5E050MKTR-E

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO24
原厂封装:封装:PowerSSO-24
优势价格,VNQ5E050MKTR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VNQ5E050MKTR-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VNQ5E050MKTR-E是意法半导体(STMicroelectronics)基于其先进的VIPower技术平台开发的一款单芯片、四通道高端智能功率开关。该器件采用PowerSSO-24封装,集成了四个独立的N沟道功率MOSFET及其对应的驱动、保护和控制逻辑,实现了在一个紧凑的表面贴装封装内完成对多达四个负载的独立驱动与保护。其核心架构省去了传统设计中分立MOSFET所需的外部栅极驱动电路和部分保护电路,显著简化了系统设计,提升了可靠性。

该器件的一个显著特点是其卓越的功率处理能力与集成保护功能。每个通道均能承受高达28V的负载电压,并持续提供最大19A的输出电流,而其导通电阻典型值低至50毫欧,确保了在驱动大电流负载时极低的导通损耗和发热。其内置的全面故障保护机制是其核心价值所在,包括固定阈值的限流保护过温关断以及过压钳位。当检测到过载、短路或结温过高时,器件会自动关断相应通道以保护自身和负载,并在故障条件消除后具备自动重启功能,使系统能够从瞬态故障中恢复,增强了应用的鲁棒性。对于需要可靠货源和技术支持的客户,通过官方授权的ST一级代理进行采购是确保产品正品与供应链稳定的推荐途径。

在接口与控制方面,VNQ5E050MKTR-E设计简洁高效。它采用非反相的开/关逻辑接口,四个通道的输入引脚各自独立,兼容3.3V和5V的CMOS/TTL电平,可直接由微控制器(MCU)或逻辑电路控制,实现灵活的数字开关功能。器件无需独立的VCC或VDD供电引脚,其控制逻辑由负载电源通过内部电路自供电,进一步简化了外围电路。其宽泛的工作结温范围(-40°C至150°C)使其能够适应严苛的工业与汽车环境。

得益于其高集成度、强大的驱动能力和内置保护,VNQ5E050MKTR-E非常适用于需要可靠控制多个感性或阻性负载的应用场景。典型应用包括汽车车身控制模块中的驱动灯、电机、继电器和加热器,工业自动化系统中的电磁阀、螺线管和小型电机驱动,以及电源分配系统中的智能熔断器功能。它为解决多路负载的紧凑、高效、可靠驱动提供了一个高度优化的单芯片解决方案。

  • 型号:VNQ5E050MKTR-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:PowerSSO-24
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO24
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:4
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:高端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:4.5V ~ 28V
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):19A
  • 导通电阻(典型值):50 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:带有自动重启功能
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PowerSSO-24
  • 封装/外壳:24-SOP(0.295\\
  • 想获取VNQ5E050MKTR-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNQ5E050MKTR-E是ST意法半导体推出的一款四通道高端智能功率开关,隶属于VIPower产品系列,采用PowerSSO-24表面贴装封装。该器件集成了四个独立的N沟道功率MOSFET,每个通道可支持4.5V至28V的负载电压,并提供高达19A的最大输出电流,其导通电阻典型值仅为50毫欧,能有效降低导通损耗。

器件具备全面的内置保护功能,包括固定阈值限流、过温关断和过压保护,并集成自动重启机制,确保在过载或短路等故障条件下实现系统自我保护与恢复。其采用简单的开/关非反相逻辑控制接口,兼容标准微控制器电平,无需额外供电引脚,显著简化了多路负载驱动电路的设计,适用于汽车电子、工业控制等领域的电源分配与负载驱动应用。

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