STU2N105K5

STU2N105K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在高压开关应用中实现卓越的能效与可靠性。其核心架构通过创新的单元布局和栅极设计，显著降低了导通电阻与栅极电荷之间的折衷关系，这对于提升高频开关性能至关重要。得益于MDmesh K5技术的超结特性，该器件能够在高达1050V的漏源电压下稳定工作，同时有效控制寄生电容，为设计高功率密度和高效能的电源系统提供了坚实基础。

在功能特性方面，STU2N105K5展现出优异的开关性能与导通特性。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、750mA漏极电流条件下典型值仅为8欧姆，这直接转化为更低的导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在10nC（@10V），结合较低的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的能量更少，能够实现更快的开关速度并降低开关损耗。该器件支持高达±30V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度。其额定连续漏极电流在壳温（Tc）条件下为1.5A，最大功耗为60W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

该MOSFET采用标准的IPAK（TO-251）通孔封装，便于在各类PCB板上进行安装和散热管理。其接口参数针对离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等高压应用进行了优化。1050V的高耐压值使其能够从容应对电网电压波动和开关过程中的电压尖峰，而优化的动态参数则有助于减少电磁干扰（EMI）。对于需要可靠元器件供应的项目，可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购和技术支持。

STU2N105K5非常适合应用于对效率和可靠性有高要求的高压场合。其主要应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）、LED照明驱动电源、空调等白色家电的功率转换单元，以及电动工具和电池充电器的初级侧开关。在这些应用中，其低导通损耗和快速开关特性有助于提升整体系统效率，而高耐压和宽温度范围则保障了长期工作的耐用性，是工程师设计高效、紧凑型高压功率电路的理想选择。

• 型号:STU2N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 750mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:115 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU2N105K5是意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh K5产品系列。该器件采用先进的超结技术，提供了1050V的漏源击穿电压（Vdss）和1.5A（Tc）的连续漏极电流能力，专为要求高耐压和高效能的开关应用而设计。

其关键电气参数经过优化，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至8欧姆（@750mA），同时栅极总电荷（Qg）最大值仅为10nC。这种低Rds(On)与低Qg的优异组合，能够显著降低导通损耗和开关损耗，提升系统整体效率。器件采用IPAK（TO-251）通孔封装，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在工业级应用环境下的高可靠性。