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STN0214

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 1200V 0.2A SOT-223
原厂封装:封装:SOT-223
优势价格,STN0214的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STN0214的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STN0214是ST意法半导体推出的一款高压NPN双极性晶体管,采用紧凑的SOT-223表面贴装封装。该器件基于成熟的硅基工艺构建,其核心架构旨在实现高压环境下的可靠开关与线性放大。集电极-发射极击穿电压高达1200V,使其能够在工业级AC-DC电源、离线式开关电源以及高压LED驱动等应用中,有效承受线路电压波动和开关过程中产生的电压尖峰,为系统前端或功率级提供稳健的支撑。

在功能特性上,该晶体管展现出针对高压、小电流应用场景的优化设计。集电极最大连续电流为200mA,配合低至300mV的Vce饱和压降(测试条件为Ic=100mA, Ib=20mA),意味着在导通状态下能够有效降低功耗,提升整体能效。其直流电流增益(hFE)在Ic=200mA、Vce=2V条件下最小值为3,这一参数表明器件在高压大电流工作点仍能保持一定的电流驱动能力,适合用于需要一定电流推动的开关或缓冲电路。此外,集电极截止电流最大仅为10A,确保了在关断状态下的高阻抗特性,有利于降低待机功耗。

接口与参数方面,STN0214采用标准的四引脚SOT-223封装(TO-261-4),便于自动化贴装并节省PCB空间。其最大功耗为1.6W,结合高达150°C的结温(TJ)工作范围,赋予了其良好的热性能和环境适应性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过官方ST授权代理获取正品器件、数据手册以及设计协助。这些电气与物理参数的组合,定义了一款在高压、紧凑型设计中兼顾性能与可靠性的分立解决方案。

STN0214典型的应用场景覆盖了多种需要高压处理能力的领域。它非常适合用作开关电源(SMPS)初级侧的启动电路、高压侧开关或缓冲网络中的元件,也常见于电子镇流器、工业控制设备中的信号隔离与驱动,以及功率因数校正(PFC)电路的辅助部分。其高耐压特性也使其成为X电容放电电路、电表或智能家居设备中AC线路监测接口的理想选择。凭借ST在功率半导体领域的深厚积累,这款晶体管为工程师在应对高压设计挑战时,提供了一个高性价比、高可靠性的基础构建模块。

  • 型号:STN0214
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SOT-223
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 1200V 0.2A SOT-223
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 20mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):10A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):3 @ 200mA,2V
  • 功率 - 最大值:1.6 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商器件封装:SOT-223
  • 想获取STN0214的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STN0214是ST意法半导体生产的一款高压NPN双极性晶体管,采用SOT-223表面贴装封装。其核心优势在于高达1200V的集射极击穿电压和200mA的集电极电流能力,专为需要耐受高电压的中低电流开关与驱动应用而设计。

该器件在导通时具有较低的饱和压降(典型值300mV @ 100mA),有助于减少导通损耗。其最大功耗为1.6W,工作结温可达150°C,确保了在紧凑空间和一定热环境下的稳定运行。这些特性使其成为离线式电源、高压LED驱动及工业控制系统中高压侧电路的高性价比解决方案。

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