STU9N60M2

STU9N60M2是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶元上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡，这一核心架构使其在高频开关应用中能显著降低导通损耗和开关损耗，提升整体能效。

该MOSFET具备多项关键电气特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的电压裕量，适用于市电整流后高压母线环境。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为780毫欧（@3A），配合低至10nC（@10V）的栅极总电荷（Qg），共同确保了快速开关能力和较低的驱动功率需求。此外，其高达150°C的结温（TJ）工作能力与60W（Tc）的功率耗散，赋予了器件优秀的鲁棒性和热性能，在紧凑空间内也能稳定运行。

在接口与封装方面，STU9N60M2采用通孔安装的IPAK（TO-251）封装，这是一种经典且易于焊接的工业标准封装，具有良好的机械强度和散热特性。其栅极驱动电压范围宽至±25V，为驱动电路设计提供了灵活性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，STU9N60M2非常适合于要求严苛的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动辅助电源以及UPS（不间断电源）系统中的功率级。在这些应用中，它能够有效提升系统效率，减小散热器尺寸，并增强系统在高温环境下的长期稳定性。

• 型号:STU9N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU9N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于600V的漏源电压（Vdss）和5.5A的连续漏极电流（Id）能力，为离线式电源设计提供了坚实的基础。

器件在电气性能上实现了优化平衡，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下仅为780毫欧，同时栅极电荷（Qg）低至10nC。这一组合特性使得开关损耗和导通损耗均得到有效控制，有助于提升系统整体效率。此外，IPAK（TO-251）通孔封装和150°C的最高工作结温，确保了其在各种环境下的安装便利性与运行可靠性。